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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第248页 > NTHD4401PT1G
NTHD4401P
功率MOSFET
-20 V， -3.0 A，双P沟道， ChipFETt
特点
低R
DS （ ON）
和快速开关速度在ChipFET包装
无铅ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6
ChipFET包装具有优异的散热能力，其中热
转移是必需的
无铅包装是否可用
应用
V
（ BR ） DSS
20 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
130毫瓦@ -4.5 V
I
D
最大
3.0 A
充电控制电池充电器
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
MP3播放器，手机，数码相机，掌上电脑
降压和升压DC- DC转换器
G
1
200毫瓦@ -2.5 V
S
1
S
2
G
2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
"12
2.1
1.5
3.0
1.1
0.6
2.1
9.0
-55
150
2.5
260
A
°C
A
°C
W
ChipFET
CASE 1206A
方式2
单位
V
V
A
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
TP = 10
ms
针
连接
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
C4
M
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v
5 s
符号
R
qJA
价值
110
60
单位
° C / W
C4 =具体设备守则
M =月守则
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方
[ 1盎司]包括痕迹） 。
订购信息
设备
NTHD4401PT1
NTHD4401PT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第3版
出版订单号：
NTHD4401P/D
NTHD4401P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压温
漂移系数
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 2.1 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= -10 V，I
D
= 2.1 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.6
0.75
2.65
0.130
0.200
0.34
5.0
0.155
0.240
1.2
V
毫伏/°C的
W
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
20
23
8.0
1.0
5.0
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
正向跨导
g
FS
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
A D颂歌年龄
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 90 A / MS ，
I
S
= 2.1 A
V
GS
= 0 V
I
S
= 2.5 A
0.85
0 85
32
10
22
15
nC
ns
1.15
1 15
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= -2.1 A，R
G
= 2.5
W
7.0
13
33
27
12
25
50
40
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
185
95
30
3.0
0.2
0.5
0.9
nC
300
150
50
6.0
pF
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTHD4401P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
4
I
D,
漏电流（安培）
V
GS
= -6 V至-3 V
V
GS
= 2.4 V
2.2 V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
4
V
DS
≥
10 V
3
2 V
3
1.8 V
2
1.6 V
1
1.4 V
1.2 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2
1
T
C
= 55°C
25°C
100°C
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.5
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25°C
0.25
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.225
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.5
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
4
3
5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
6
1.5
2.5
3.5
4.5
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.6
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 4.5 V
1.4
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
I
D
= 1.0 A
V
GS
= 1.8 V
1.2
1.2
1
1
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.导通电阻变化与
温度
http://onsemi.com
3
NTHD4401P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
10000
V
GS
= 0 V
500
C，电容（pF ）
I
DSS
，漏电（ A）
T
J
= 150°C
1000
400
300
200
100
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
0
10
5
0
V
GS
V
DS
5
10
15
20
C
OSS
C
RSS
600
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
100
T
J
= 100°C
图7.漏 - 源极漏电流
与电压
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
6
V
DS
5
4
V
GS
3
2
1
0
0
0.5
1.5
2.5
1
2
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
3
Q1
Q2
6
4
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25°C
2
0
3.5
QT
12
10
8
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
100
图8.电容变化
t
f
t
D（关闭）
T， TIME （ NS ）
t
r
10
t
D（上）
V
DD
= 16 V
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 4.5 V
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图9.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
2.5
I
S
，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
2
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1.5
1
0.5
0
0.3
0.5
0.7
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图11.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
4
NTHD4401P
1.0
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
T，时间（S ）
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
0.1
归一
θJA
为10s 。
芯片
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
环境
1.0E+03
0.01
1.0E03
1.0E+01
1.0E+02
图12.热响应
http://onsemi.com
5
NTHD4401P
功率MOSFET
-20 V， -3.0 A，双P沟道， ChipFETt
特点
低R
DS （ ON）
和快速开关速度在ChipFET包装
无铅ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6
ChipFET包装具有优异的散热能力，其中热
转移是必需的
无铅包装是否可用
应用
V
（ BR ） DSS
20 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
130毫瓦@ -4.5 V
I
D
最大
3.0 A
200毫瓦@ -2.5 V
充电控制电池充电器
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
MP3播放器，手机，数码相机，掌上电脑
降压和升压DC- DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
"12
2.1
1.5
3.0
1.1
0.6
2.1
9.0
-55
150
2.5
260
A
°C
A
°C
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
W
单位
V
V
A
G
1
S
1
S
2
G
2
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
ChipFET
CASE 1206A
方式2
针
连接
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
记号
图
8
C4 M
G
7
6
5
TP = 10
ms
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
2
3
4
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v
5 s
符号
R
qJA
价值
110
60
单位
° C / W
C4 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NTHD4401PT1
NTHD4401PT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方
[ 1盎司]包括痕迹） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4401P/D
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 第4版
NTHD4401P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压温
漂移系数
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 2.1 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= -10 V，I
D
= 2.1 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.6
0.75
2.65
0.130
0.200
0.34
5.0
0.155
0.240
1.2
V
毫伏/°C的
W
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
20
23
8.0
1.0
5.0
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
正向跨导
g
FS
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 90 A / MS ，
I
S
= 2.1 A
V
GS
= 0 V
I
S
= 2.5 A
0.85
32
10
22
15
nC
ns
1.15
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= -2.1 A，R
G
= 2.5
W
7.0
13
33
27
12
25
50
40
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
185
95
30
3.0
0.2
0.5
0.9
nC
300
150
50
6.0
pF
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTHD4401P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
4
I
D,
漏电流（安培）
V
GS
= -6 V至-3 V
V
GS
= 2.4 V
2.2 V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
2 V
4
V
DS
≥
10 V
3
3
1.8 V
2
1.6 V
1
1.4 V
1.2 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2
T
C
= 55°C
25°C
0
0.5
100°C
3
1
1
1.5
2
2.5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.5
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25°C
0.25
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.225
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.5
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
1.5
2.5
3.5
4.5
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.6
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 4.5 V
1.4
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
I
D
= 1.0 A
V
GS
= 1.8 V
1.2
1.2
1
1
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.导通电阻变化与
温度
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3
NTHD4401P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
10000
V
GS
= 0 V
500
C，电容（pF ）
I
DSS
，漏电（ A）
T
J
= 150°C
1000
400
300
200
100
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
0
10
5
0
V
GS
V
DS
5
10
15
20
C
OSS
C
RSS
600
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
100
T
J
= 100°C
图7.漏 - 源极漏电流
与电压
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
6
V
DS
5
4
V
GS
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
3
Q1
Q2
6
4
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25°C
2
0
3.5
QT
12
10
8
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
100
图8.电容变化
t
f
t
D（关闭）
T， TIME （ NS ）
t
r
10
t
D（上）
V
DD
= 16 V
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 4.5 V
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图9.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
2.5
I
S
，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
2
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1.5
1
0.5
0
0.3
0.5
0.7
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图11.二极管的正向电压与电流
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4
NTHD4401P
1.0
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
T，时间（S ）
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
0.1
归一
θJA
为10s 。
芯片
0.0175
Ω
0.0710
Ω
0.2706
Ω
0.5776
Ω
0.7086
Ω
环境
1.0E+03
0.01
1.0E03
1.0E+01
1.0E+02
图12.热响应
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
0.635
0.025
1.092
0.043
2.032
0.08
0.178
0.007
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.66
0.026
0.254
0.010
尺度20:1
mm
英寸
图13.基本
图14.样式2
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
BASIC垫图案
其尺寸基本焊盘布局显示在
图13.这是足够低的功耗
MOSFET的应用，但功率半导体
性能，需要更大的铜焊盘面积，特别是
为漏极引线。
在显示的最低建议垫图案
图14提高了漏极的热区
连接（引脚5，6， 7，8 ），而内剩余
基本的足迹范围。漏铜区
0.0019平方英寸（或1.22平方毫米）。这将有助于电源
耗散路径远离该装置（通过铜
引线框架），并进入董事会和外部机箱（如果
适用）的单个设备。又多了一个进一步的
铜的面积和/或增加通孔的其他板层
将进一步增强性能。
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