NTHD2110T
功率MOSFET
-12 V ， -6.4 A，单P沟道+ TVS ，
ChipFETt套餐
特点
与引脚电平
低R
DS （ ON）
MOSFET和瞬态抑制二极管ChipFET包装
集成漏极侧TVS为15 kV接触放电ESD
保护
1.8 V闸评级
这是一个Pb - Free设备
应用
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
40毫瓦@ -4.5 V
-12 V
53毫瓦@ -2.5 V
80毫瓦@ -1.8 V
-6.4 A
I
D
最大
在便携式电池开关和负载管理应用程序
设备
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
工作结温和存储温度
存储温度范围
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“案件从10秒）
T
J
,
T
英镑
TJ
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
2.3
-55
150
-55
150
260
°C
°C
°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
-12
"8
-4.5
-3.2
-6.4
1.1
W
单位
V
V
A
TVS
V
RWM
12
S
V
C
@我最大
PP
21.5
I
pp以下
6.2 A
A
G
D
P沟道MOSFET
C
TVS二极管
8
TVS最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值功耗
8 ×20毫秒的双指数波形
（注2 ）
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
IEC 61000-4-2规范（联系）
符号
PPK
价值
150
单位
W
ChipFET
CASE 1206A
类型6
1
针
连接
1
8
记号
图
1
保税区M
G
2
3
4
8
7
6
5
ESD
16
400
30
kV
V
kV
A
2
7
C / D
D
6
D
D
3
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
110
55
° C / W
单位
D
S
4
5
G
保税区
M
G
结 - 环境 - 稳态敏垫
225
R
qJA
（注3）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹） 。
按照图11 2.非重复性电流脉冲。
3.表面安装使用1平方米大小（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 1盎司]包含的痕迹） 。
=具体设备守则
=月守则
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NTHD2110TT1G
包
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 修订版0
出版订单号：
NTHD2110T/D
NTHD2110T
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= -250
mA
V
DS
= -12 V,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
-12
-1.0
-5.0
"0.1
mA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注6 ）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8.0
V
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -6.4 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -2.0 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -1.7 A
-0.40
33
42
57
13.7
-0.85
40
53
80
V
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= -5.0 V，I
D
= -6.4 A
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
开关特性
（注7 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= -1.7 A,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-0.7
-0.6
41.7
22
ns
nC
-1.0
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -6.0 V, V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W
7.5
8.6
99.7
49.8
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -6.0 V,
I
D
= -6.4 A
V
DS
= -6.0 V, V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
1072
260
134
10.5
0.6
1.3
2.8
14
nC
pF
反向恢复时间
反向恢复电荷
4.
5.
6.
7.
t
RR
Q
RR
V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A /小姐，我
S
= -1.7 A
V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A /小姐，我
S
= -1.7 A
表面（平方[ 1盎司]包括痕迹铜面积= 1.127 ）装上FR4板采用1平方米大小。
表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTHD2110T
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
TVS二极管
反向工作电压（注8 ）
击穿电压（注9 ）
反向漏电流
钳位电压（注10 ）
钳位电压（注10 ）
最大峰值脉冲电流（注10 ）
电容
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
PP
CJ
I
T
= 1毫安
V
RWM
= 12 V
I
PP
= 1 （ 8 ×20
ms
波形）
I
PP
= 5 A（ 8 ×20
ms
波形）
8 x 20
ms
波形
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
（阳极到GND）的
12
14.5
0.6
15.7
10
15.7
19.1
6.2
60
V
V
nA
V
V
A
pF
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
根据工作峰值反向电压8. TVS器件通常被选定（Ⅴ
RWM
） ，这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
9. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
按照图11 10.脉冲波形。
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3
NTHD2110T
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
2
4
4.5
TT
J
==25°C
25°C
J
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
-V
GS
，栅极至源极电压
(V)
4
3.5
3
2.5
2 Q
1
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
12
I
D
= -6.4 A
T
J
= 25°C
Q
2
Q
T
C，电容（pF ）
C
OSS
C
RSS
6
8
10
-V
DS
，漏TO_SOURCE电压（ V）
12
图7.电容变化
1000
-I
S
，源电流（ A）
V
DS
= -6 V
I
D
= -1 A
V
GS
= -4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
6
5
4
3
2
1
0
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
图8.栅极至源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
t
D（关闭）
t
f
t
r
10
t
D（上）
1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
典型TVS性能曲线
110
I
PP
，峰值脉冲电流（ A）
％的峰值脉冲电流
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
吨，时间（ ms）的
20
25
30
t
d
= I
PP
/2
C-吨
波形
参数
t
r
= 8
ms
t
d
= 20
ms
7
6
5
4
3
2
1
0
14
脉冲波形
8 x 20
ms
按照图11
15
16
17
18
V
C
，钳位电压（V ）
19
20
图11.脉冲波形， 8
×
20
ms
图12.钳位电压VS峰值脉冲
当前
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
