NTGS4141N
功率MOSFET
30 V , 7.0 A单N沟道, TSOP- 6
特点
低R
DS ( ON)
低栅电荷
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
21.5毫瓦@ 10 V
30 V
30毫瓦@ 4.5 V
7.0 A
I
D
最大
负荷开关
笔记本电脑
台式电脑
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定
状态
t
≤
10 s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
≤
10 s
连续漏极
电流(注2 )
功耗
(注2 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
EAS
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
5.0
3.6
7.0
1.0
2.0
3.5
2.5
0.5
21
-55
150
2.0
54
W
A
°C
A
mJ
A
W
单位
V
V
A
N沟道
排水1 2 5 6
3号门
源4
记号
图
TSOP6
CASE 318G
风格1
1
S4 MG
G
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 30 V,I
L
= 10.4 A,V
GS
= 10 V,
L = 1.0 mH的,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
S4
=器件代码
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚分配
漏漏源
6 5 4
T
L
260
°C
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 吨
≤
10秒(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注2 )
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
125
62.5
248
单位
° C / W
1
2 3
排水排水门
订购信息
设备
NTGS4141NT1
NTGS4141NT1G
包
TSOP6
TSOP6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1.表面安装上使用1英寸平方垫尺寸FR4板
(铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ) 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
(铜面积=在平0.0773 ) 。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年2月 - 第1版
出版订单号:
NTGS4141N/D
NTGS4141N
包装尺寸
TSOP6
CASE 318G -02
ISSUE P
D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
英寸
喃
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
6
5
1
2
4
3
H
E
E
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
c
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
民
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0°
民
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
0°
漏
漏
门
来源
漏
漏
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
焊接足迹*
2.4
0.094
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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和
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5
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