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NTGS4141N
功率MOSFET
30 V , 7.0 A单N沟道, TSOP- 6
特点
低R
DS ( ON)
低栅电荷
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
21.5毫瓦@ 10 V
30 V
30毫瓦@ 4.5 V
7.0 A
I
D
最大
负荷开关
笔记本电脑
台式电脑
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定
状态
t
10 s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
10 s
连续漏极
电流(注2 )
功耗
(注2 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
EAS
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
5.0
3.6
7.0
1.0
2.0
3.5
2.5
0.5
21
-55
150
2.0
54
W
A
°C
A
mJ
A
W
单位
V
V
A
N沟道
排水1 2 5 6
3号门
源4
记号
TSOP6
CASE 318G
风格1
1
S4 MG
G
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 30 V,I
L
= 10.4 A,V
GS
= 10 V,
L = 1.0 mH的,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
S4
=器件代码
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚分配
漏漏源
6 5 4
T
L
260
°C
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 吨
10秒(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注2 )
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
125
62.5
248
单位
° C / W
1
2 3
排水排水门
订购信息
设备
NTGS4141NT1
NTGS4141NT1G
TSOP6
TSOP6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1.表面安装上使用1英寸平方垫尺寸FR4板
(铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ) 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
(铜面积=在平0.0773 ) 。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年2月 - 第1版
出版订单号:
NTGS4141N/D
NTGS4141N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
30
18.4
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
5.7
3.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= 10 V,I
D
= 7.0 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 6.0 A
21.5
30
30
25
35
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= 10 V,I
D
= 7.0 A
S
收费,电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏 - 源极二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.78
0.63
15
V
GS
= 0 V
dI
S
/ DT = 100 A /小姐,我
S
= 2.0 A
9.0
6.0
8.0
nC
ns
1.0
V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 24 V,
I
D
= 7.0 A,R
G
= 3.0
W
6.0
15
18
4.0
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 7.0 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 7.0 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
V
DS
= 24 V
560
115
75
12
0.85
1.9
3.0
6.0
0.8
1.85
3.0
2.8
W
nC
nC
pF
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTGS4141N
典型性能曲线
15
I
D,
漏电流(安培)
10 V
6V
4.5 V
10
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流(安培)
3.5 V
15
V
DS
10 V
10
5
3V
5
125°C
25°C
0
T
J
= 55°C
1
2
3
4
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
5
2.6 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.05
T
J
= 25°C
I
D
= 7 A
0.04
0.05
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.04
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
V
GS
= 10 V
0.01
0
0
5
10
15
I
D,
漏电流(安培)
0.03
0.02
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS ,
栅 - 源电压(伏)
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2.0
R
DS (ON ) ,
漏极 - 源极
电阻(标准化)
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
1.5
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
I
DSS ,
漏电流( NA)
1000
T
J
= 150°C
1.0
100
T
J
= 125°C
0.5
0
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
0
T
J
,结温( ° C)
10
15
25
5
20
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
30
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTGS4141N
典型性能曲线
V
DS
= 0 V
C,电容(pF )
1000
800
600
400 C
RSS
200
0
10
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
OSS
C
国际空间站
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
VGS栅极至源极电压(V )
,
1200
10
QT
8
V
GS
6
4
Q
GS
Q
GD
I
D
= 7 A
V
DD
= 15 V
T
J
= 25°C
2
0
0
2
4
6
8
10
Q
G
,总栅极电荷( NC)
12
栅极 - 源极或漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
1000
I
S
,源电流(安培)
V
DD
= 24 V
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
T, TIME ( NS )
100
t
f
t
r
10
7
6
5
4
3
2
1
0
1
10
R
G
,栅极电阻(欧姆)
100
0
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
t
D(关闭)
t
D(上)
1
0.1 0.2
0.3 0.4
0.5 0.6 0.7 0.8
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
0.9
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
60
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 10.4 A
40
20
0
25
100
50
75
125
T
J
,起动结温( ° C)
150
图11.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTGS4141N
包装尺寸
TSOP6
CASE 318G -02
ISSUE P
D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
英寸
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
6
5
1
2
4
3
H
E
E
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
c
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
来源
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
焊接足迹*
2.4
0.094
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
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P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
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2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
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5
NTGS4141N/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTGS4141N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1244719342 复制 点击这里给我发消息 QQ:735585398 复制

电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱小姐 刘小姐
地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
NTGS4141N
18+
30000
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NTGS4141N
ON/安森美
2443+
23000
TSOP-6
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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VB
25+23+
35500
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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18000
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NTGS4141N
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9399
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【dz37.com】实时报价有图&PDF
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