NTGS3455T1
MOSFET
-3.5安培，伏特-30
P沟道的TSOP - 6
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30
V
R
DS （ ON）
典型值
100毫瓦@
10
V
P- CHANNEL
1 2 5 6
漏
I
D
最大
3.5
A
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
微型TSOP - 6表面贴装封装
无铅包装是否可用
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
蜂窝和无绳电话，和PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
漏电流脉冲（T
p
t
10
μS)
最大工作功耗
最大工作漏极电流
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
漏电流脉冲（T
p
t
10
μS)
最大工作功耗
最大工作漏极电流
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
θJA
P
d
I
D
I
DM
P
d
I
D
价值
30
"20.0
62.5
2.0
3.5
20
1.0
2.5
单位
伏
伏
° C / W
瓦
安培
安培
瓦
安培
1
TSOP6
CASE 318G
风格1
门
3
4
来源
标记图&
引脚分配
漏漏源
6 5 4
455 M
G
G
1 2 3
排水排水门
R
θJA
P
d
I
D
I
DM
P
d
I
D
T
J
, T
英镑
T
L
128
1.0
2.5
14
0.5
1.75
55
to
150
260
° C / W
瓦
安培
安培
瓦
安培
°C
°C
455
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.安装在一个2 “方形FR- 4电路板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚单
双面） ，T
t
5.0秒。
2.安装在一个2 “方形FR- 4电路板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚单
双面） ，运行到稳定状态。
订购信息
设备
NTGS3455T1
NTGS3455T1G
包
TSOP6
TSOP6
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第3版
1
出版订单号：
NTGS3455T1/D
NTGS3455T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （注3 & 4 ）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=
10
μA)
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
=
30
VDC ，T
J
= 25°C)
(V
GS
= 0伏，V
DS
=
30
VDC ，T
J
= 70°C)
门体漏电流
(V
GS
=
20.0
VDC ，V
DS
= 0伏）
门体漏电流
(V
GS
= 20.0伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μAdc ）
静态漏源导通电阻
(V
GS
=
10
VDC ，我
D
=
3.5
ADC）
(V
GS
=
4.5
VDC ，我
D
=
2.7
ADC）
正向跨导
(V
DS
=
15
VDC ，我
D
=
3.5
ADC）
动态特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
反向恢复时间
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
二极管正向导通电压
(I
S
=
1.7
ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
=
3.5
ADC ，V
GS
= 0伏）
V
SD
V
SD
0.90
1.0
1.2
VDC
VDC
(I
S
=
1.7
ADC ， DL
S
/ DT = 100 A / μs）内
(V
DD
=
20
VDC ，我
D
=
1.0
ADC ，
V
GS
=
10
VDC ，R
g
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
10
15
20
10
30
20
30
35
20
ns
ns
(V
DS
=
5.0
VDC ，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
(V
DS
=
15
VDC ，V
GS
=
10
VDC ，
I
D
=
3.5
ADC）
Q
合计
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
9.0
2.5
2.0
480
220
60
13
pF
nC
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.0
1.87
0.094
0.144
6.0
3.0
0.100
0.170
VDC
W
V
（ BR ） DSS
I
DSS
30
1.0
5.0
100
100
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
I
GSS
I
GSS
NADC
NADC
g
FS
姆欧
3.表示脉冲测试： P.W. = 300
微秒
最大值，占空比= 2 ％ 。
1 4级ESD额定值
处理措施以防止静电放电是强制性的。
http://onsemi.com
2
NTGS3455T1
包装尺寸
TSOP6
CASE 318G -02
ISSUE P
D
H
E
6
1
5
2
4
3
E
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边，突出物，或门
毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
民
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0°
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
民
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
0°
英寸
喃
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
b
e
c
L
q
0.05 (0.002)
A1
A
风格1 ：
PIN 1.排放
2.漏
3.门
4.源
5.排水
6.排水
焊接足迹*
2.4
0.094
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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