NTGS3441P
功率MOSFET
-20 V， -3.16 A单P沟道TSOP - 6
特点
超低低R
DS （ ON）
提高导通损耗
低栅极电荷提高开关损耗
TSOP - 6表面贴装封装
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
91毫瓦@ 4.5 V
20 V
144毫瓦@ 2.7 V
188毫瓦@ 2.5 V
P- CHANNEL
单位
V
V
A
3
1 2 5 6
20
±12
2.5
1.8
3.16
4
3.16 A
I
D
最大
应用
在DC- DC转换器的高边开关
电池管理
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
吨≤ 10秒
功耗
（注1 ）
稳定
状态
吨≤ 10秒
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
0.98
1.60
1.8
1.3
0.51
13
-55
150
1.5
260
W
记号
图
A
TSOP6
CASE 318G
风格1
1
S3 MG
G
W
A
°C
A
°C
1
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
PT =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
漏漏源
6 5 4
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸（铜区FR4板= 1.127在
平方[ 1盎司]包括痕迹）
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
（铜面积=在平0.0751 ）
1
2
3
排水排水门
订购信息
设备
NTGS3441PT1G
包
航运
TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 修订版0
出版订单号：
NTGS3441P/D
NTGS3441P
热阻最大额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - T = 10秒（注3 ）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
128
78
244
单位
° C / W
3.表面装上用1平方英寸垫的尺寸FR4板（铜面积= 1.127平方英寸[ 1盎司]包括迹线）
4.表面安装在FR4电路板使用的最低建议焊盘尺寸（铜面积=待定的平方）
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
20
16
1
10
±100
nA
V
毫伏/
°C
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
0.6
3.2
1.6
V
毫伏/°C的
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= 2.7 V，I
D
= 1.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.5 A
91
144
188
4.0
110
165
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= -15 V，I
D
=1.5 A
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
T
a
T
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 3.0 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 3.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.8
0.7
25
10
15
15
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= -1.5 A，R
G
= 4.7
W
7.0
14
13
4.0
12
25
25
8.0
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= ± 10 V ;我
D
= 3.0 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 15 V
345
150
40
3.25
0.3
0.6
1.4
6.0
nC
pF
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
5.开关特性是独立的工作结点温度
6.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％
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2
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