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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第361页 > NTGS3136P
NTGS3136P
功率MOSFET
-20 V, -5.8 A,单P沟道, TSOP- 6
特点
低R
DS ( ON)
采用TSOP -6封装
1.8 V闸评级
快速开关
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
25毫瓦@ -4.5 V
-20 V
32毫瓦@ -2.5 V
41毫瓦@ -1.8 V
P沟道
I
D
最大
-5.1 A
-4.5 A
-2.5 A
应用
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
高侧负载开关
开关电路的游戏机,照相手机等。
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定
状态
t
v
5s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
v
5s
连续漏极
电流(注2 )
功耗
(注2 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
1.6
-3.7
-2.7
0.7
-20
-55
150
260
A
W
A
°C
°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
-20
$8.0
-5.1
-3.6
-5.8
1.25
W
A
单位
V
V
1 2 5 6
3
4
记号
TSOP-6
CASE 318G
风格1
1
SD
=器件代码
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
1
SD MG
G
工作结温和存储温度
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
引脚分配
漏漏源
6 5 4
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方焊盘尺寸(铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹)
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
(铜面积=在平0.0775 ) 。
1
2
3
排水排水门
订购信息
设备
NTGS3136PT1G
TSOP-6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年8月 - 修订版0
出版订单号:
NTGS3136P/D
NTGS3136P
热阻最大额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注3 )
结 - 环境 - T = 5秒(注3 )
结 - 环境 - 稳态(注4 )
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
100
77
185
° C / W
单位
3.表面装上用1平方英寸垫的尺寸FR4板(铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括迹线)
4.表面安装在FR4电路板使用的最低建议焊盘尺寸(铜面积=在平0.0775 ) 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= -250
mA
ID = -250
毫安,
参考25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
-20
-13
-1.0
-5.0
$0.1
mA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250
mA
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
-0.4
3
-1.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -5.1 A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= -4.5 A
V
GS
= -1.8 V,I
D
= -2.5 A
25
32
41
22
33
40
51
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= -5.0 V,I
D
= -5.1 A
S
收费,电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
关F的延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
V
GS
= 0 V,
I
S
= -1.7 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-0.7
-0.6
37
60
ns
-1.2
V
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
V
GS
= *4.5 V, V
DD
= -10 V,
I
D
= -1.0 A,R
G
= 6.0
W
9
9
99
48
19
19
160
79
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -10 V;
I
D
= -5.1 A
V
GS
= 0 V , F = 1兆赫,V
DS
= -10 V
1901
274
175
18
0.7
2.4
4.3
7.6
W
29
nC
pF
反向恢复时间
V
GS
= 0 V ,D
IS
/d
t
= 100 A / MS ,
I
S
= -1.7 A
5.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%
6.开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTGS3136P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
20
V
GS
= -4.5 V
-I
D,
漏电流( A)
16
-2 V
-1.8 V
T
J
= 25°C
-I
D,
漏电流( A)
15
20
V
DS
= -5 V
12
-2.5 V
-1.5 V
10
T
J
= 25°C
5
T
J
= 125°C
0
T
J
= -55°C
8.0
4.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25 2.5
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
GS
, GATE -T O型源极电压( V)
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
排水-T O型源极电阻( W)
0.14
I
D
= -5.1 A
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
DS (ON ) ,
排水-T O型源极电阻( W)
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
图2.传输特性
T
J
= 25°C
-1.8 V
-2 V
-2.5 V
V
GS
= -4.5 V
4.0
8.0
12
16
20
-V
GS
, GATE -T O型源极电压( V)
-I
D,
漏电流( A)
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.5
R
DS (ON ) ,
排水-T O型SOURCE
电阻(标准化)
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= -4.5 A
V
GS
= -5.1 V
C,电容(pF )
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
C
OSS
C
RSS
0
2
4
6
8
10
12
T
J
,结温( ° C)
排水-T O型源极电压( V)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.电容变化
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3
NTGS3136P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
-V
GS
, GATE -T O型源极电压( V)
5
Q
T
4
-V
DS
10
8
3
-V
GS
6
2 Q
GS
Q
GD
4
1
V
DS
= -10 V
I
D
= -5.1 A
T
J
= 25°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
2
0
18
12
100
V
GS
= 0 V
-I
S
,源电流( A)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
10
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0
Q
G
,总栅极电荷( NC)
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
1.2
图7.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图8.二极管的正向电压与电流
0.8
I
D
= -250
mA
0.7
0.6
-V
GS ( TH)
(V)
0.5
0.4
0.3
0.2
-50
80
70
60
功率(W)的
-25
0
25
50
75
100
125
150
50
40
30
20
10
0
1E-3
1E-2
1E-1
1
1E+1
1E+2
1E+3
T
J
,结温( ° C)
单脉冲时间(s )
图9.阈值电压
图10.单脉冲最大功率
耗散
R
(t)
有效的瞬态热
响应(标准化)
1
100
-I
D
,漏电流( A)
10
100
ms
1毫秒
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
1E-04 1E-03 1E-02
1
10毫秒
V
GS
= -8.0 V
单脉冲
0.1 T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.01
0.1
1
dc
10
100
1E-01
1
1E+01 1E+02 1E+03
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,时间(S )
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12. FET热响应
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4
NTGS3136P
包装尺寸
TSOP-6
CASE 318G -02
ISSUE S
D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
-
英寸
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
-
6
5
1
2
4
H
E
E
3
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
c
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
焊接足迹*
2.4
0.094
风格1 :
PIN 1.排放
2.漏
3.门
4.源
5.排水
6.排水
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话: 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真: 303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件: orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
NTGS3136P/D
NTGS3136P
功率MOSFET
-20 V, -5.8 A,单P沟道, TSOP- 6
特点
低R
DS ( ON)
采用TSOP -6封装
1.8 V闸评级
快速开关
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
25毫瓦@ -4.5 V
-20 V
32毫瓦@ -2.5 V
41毫瓦@ -1.8 V
P沟道
I
D
最大
-5.1 A
-4.5 A
-2.5 A
应用
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
高侧负载开关
开关电路的游戏机,照相手机等。
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定
状态
t
v
5s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
v
5s
连续漏极
电流(注2 )
功耗
(注2 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
1.6
-3.7
-2.7
0.7
-20
-55
150
260
A
W
A
°C
°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
-20
$8.0
-5.1
-3.6
-5.8
1.25
W
A
单位
V
V
1 2 5 6
3
4
记号
TSOP-6
CASE 318G
风格1
1
SD
=器件代码
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
1
SD MG
G
工作结温和存储温度
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
引脚分配
漏漏源
6 5 4
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方焊盘尺寸(铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹)
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
(铜面积=在平0.0775 ) 。
1
2
3
排水排水门
订购信息
设备
NTGS3136PT1G
TSOP-6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年8月 - 修订版0
出版订单号:
NTGS3136P/D
NTGS3136P
热阻最大额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注3 )
结 - 环境 - T = 5秒(注3 )
结 - 环境 - 稳态(注4 )
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
100
77
185
° C / W
单位
3.表面装上用1平方英寸垫的尺寸FR4板(铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括迹线)
4.表面安装在FR4电路板使用的最低建议焊盘尺寸(铜面积=在平0.0775 ) 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= -250
mA
ID = -250
毫安,
参考25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
-20
-13
-1.0
-5.0
$0.1
mA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250
mA
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
-0.4
3
-1.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -5.1 A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= -4.5 A
V
GS
= -1.8 V,I
D
= -2.5 A
25
32
41
22
33
40
51
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= -5.0 V,I
D
= -5.1 A
S
收费,电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
关F的延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
V
GS
= 0 V,
I
S
= -1.7 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-0.7
-0.6
37
60
ns
-1.2
V
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
V
GS
= *4.5 V, V
DD
= -10 V,
I
D
= -1.0 A,R
G
= 6.0
W
9
9
99
48
19
19
160
79
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -10 V;
I
D
= -5.1 A
V
GS
= 0 V , F = 1兆赫,V
DS
= -10 V
1901
274
175
18
0.7
2.4
4.3
7.6
W
29
nC
pF
反向恢复时间
V
GS
= 0 V ,D
IS
/d
t
= 100 A / MS ,
I
S
= -1.7 A
5.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%
6.开关特性是独立的工作结点温度
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2
NTGS3136P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
20
V
GS
= -4.5 V
-I
D,
漏电流( A)
16
-2 V
-1.8 V
T
J
= 25°C
-I
D,
漏电流( A)
15
20
V
DS
= -5 V
12
-2.5 V
-1.5 V
10
T
J
= 25°C
5
T
J
= 125°C
0
T
J
= -55°C
8.0
4.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25 2.5
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
GS
, GATE -T O型源极电压( V)
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
排水-T O型源极电阻( W)
0.14
I
D
= -5.1 A
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
DS (ON ) ,
排水-T O型源极电阻( W)
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
图2.传输特性
T
J
= 25°C
-1.8 V
-2 V
-2.5 V
V
GS
= -4.5 V
4.0
8.0
12
16
20
-V
GS
, GATE -T O型源极电压( V)
-I
D,
漏电流( A)
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.5
R
DS (ON ) ,
排水-T O型SOURCE
电阻(标准化)
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= -4.5 A
V
GS
= -5.1 V
C,电容(pF )
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
C
OSS
C
RSS
0
2
4
6
8
10
12
T
J
,结温( ° C)
排水-T O型源极电压( V)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.电容变化
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3
NTGS3136P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
-V
GS
, GATE -T O型源极电压( V)
5
Q
T
4
-V
DS
10
8
3
-V
GS
6
2 Q
GS
Q
GD
4
1
V
DS
= -10 V
I
D
= -5.1 A
T
J
= 25°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
2
0
18
12
100
V
GS
= 0 V
-I
S
,源电流( A)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
10
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0
Q
G
,总栅极电荷( NC)
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
1.2
图7.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图8.二极管的正向电压与电流
0.8
I
D
= -250
mA
0.7
0.6
-V
GS ( TH)
(V)
0.5
0.4
0.3
0.2
-50
80
70
60
功率(W)的
-25
0
25
50
75
100
125
150
50
40
30
20
10
0
1E-3
1E-2
1E-1
1
1E+1
1E+2
1E+3
T
J
,结温( ° C)
单脉冲时间(s )
图9.阈值电压
图10.单脉冲最大功率
耗散
R
(t)
有效的瞬态热
响应(标准化)
1
100
-I
D
,漏电流( A)
10
100
ms
1毫秒
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
1E-04 1E-03 1E-02
1
10毫秒
V
GS
= -8.0 V
单脉冲
0.1 T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.01
0.1
1
dc
10
100
1E-01
1
1E+01 1E+02 1E+03
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,时间(S )
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12. FET热响应
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4
NTGS3136P
包装尺寸
TSOP-6
CASE 318G -02
ISSUE S
D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
-
英寸
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
-
6
5
1
2
4
H
E
E
3
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
c
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
焊接足迹*
2.4
0.094
风格1 :
PIN 1.排放
2.漏
3.门
4.源
5.排水
6.排水
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
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安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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