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NTGS1135P
功率MOSFET
特点
8
V,
5.8
A单P沟道, TSOP- 6
超低低R
DS ( ON)
1.2 V R
DS ( ON)
等级
这是一个Pb - Free设备
应用
V
( BR ) DSS
http://onsemi.com
R
DS ( ON)
最大
31毫瓦@
4.5
V
8
V
38毫瓦@
2.5
V
57毫瓦@
1.8
V
300毫瓦@
1.2
V
价值
8.0
$6.0
4.6
3.3
5.8
P
D
T
A
= 25°C
1.6
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
9.2
55
to
150
1.0
260
A
°C
A
°C
1
TSOP6
CASE 318G
风格1
0.97
W
4
A
3
单位
V
V
P- CHANNEL
1 2 5 6
4.6
A
I
D
最大
负荷开关
电池管理
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定
状态
t
v
5s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
v
5s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
记号
AA MG
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸(铜面积= 1平方FR4板
[ 2盎司]包括痕迹)
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
(铜面积=在平0.0751 )
1
AA
=器件代码
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚分配
漏漏源
6 5 4
热阻最大额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - T = 5秒(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注2 )
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
128
78
188
° C / W
1
2
3
单位
排水排水门
订购信息
设备
NTGS1135PT1G
航运
TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
1
出版订单号:
NTGS1135P/D
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
2008年10月,
第0版
NTGS1135P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压温
漂移系数
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
4.6
A
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
2.5
A
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
2.0
A
V
GS
=
1.5
V,I
D
=
1.0
A
V
GS
=
1.2
V,I
D
=
0.1
A
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ,D
IS
/d
t
= 100 A / MS ,
I
S
=
1.0
A
V
GS
= 0 V,
I
S
=
1.0
A
T
J
= 25°C
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
8.0
V,
I
D
=
2.5
A,R
G
= 6.2
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
8.0
V;
I
D
=
2.5
A
V
GS
= 0 V , F = 1兆赫,V
DS
=
6.0
V
V
DS
=
4.0
V,I
D
=
3.0
A
收费,电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
0.6
25
11
14
13
nC
1.0
V
ns
10
16
128
71
ns
2200
400
200
21
0.9
2.8
3.9
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.35
0.57
2.8
22
28
37
47
100
1.2
31
38
57
73
300
S
0.85
V
毫伏/°C的
mW
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安,
裁判25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
=
6
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±6
V
8.0
8.4
1.0
$100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTGS1135P
典型特征
10
8
6
1.4
V
4
2
0
4.5
V
2.0
V
1.8
V
T
J
= 25°C
10
2.5
V
1.6
V
I
D
,漏电流( A)
8
6
4
2
0
0.4
T
J
=
55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
DS
10
V
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=
1.2
V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
D
=
4.6
A
T
J
= 25°C
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
=
1.2
V
V
GS
=
1.5
V
V
GS
=
1.8
V
V
GS
=
2.5
V
V
GS
=
4.5
V
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
I
D
,漏电流( A)
图3.导通电阻与栅极电压
1.4
R
DS ( ON)
,漏 - 源
电阻(标准化)
I
D
=
4.6
A
V
GS
=
4.5
V
I
DSS
,漏电( NA)
1.2
100000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
1.0
10000
T
J
= 150°C
0.8
T
J
= 125°C
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1000
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTGS1135P
典型特征
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
3000
2500
C,电容(pF )
2000
1500
1000
500
0
C
RSS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
C
OSS
5.0
Qt
4.0
3.0
C
国际空间站
2.0
1.0
0
Q
gs
Q
gd
T
J
= 25°C
I
D
=
4.6
A
0
2.0 4.0
6.0 8.0
10
12
14
16
18
20
22
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图7.电容变化
1000
I
S
,源电流( A)
V
DD
=
8
V
I
D
=
4.6
A
V
GS
=
4.5
V
T, TIME ( NS )
100
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
图8.栅极 - 源极电压与总
收费
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1.0
1.0
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
4
NTGS1135P
包装尺寸
TSOP6
CASE 318G -02
ISSUE S
D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
MILLIMETERS
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
英寸
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
H
E
6
1
5
2
4
3
E
b
e
c
L
q
0.05 (0.002)
A1
A
焊接足迹*
2.4
0.094
风格1 :
PIN 1.排放
2.漏
3.门
4.源
5.排水
6.排水
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
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P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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NTGS1135P/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTGS1135P
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NTGS1135P
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8505
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NTGS1135P
ON/安森美
21+
45000
SOT-163
全新原装正品/质量有保证
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