【NTGD4167C功率MOSFET特点互补性， 30 V ， + 2.9 / -2.2 A，TSOP】,IC型号NTGD4167C,NTGD4167C PDF资料,NTGD4167C经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTGD4167C

功率MOSFET

特点

互补性， 30 V ， + 2.9 / -2.2 A，

TSOP - 6双

互补的N沟道和P沟道MOSFET

小尺寸（ 3× 3毫米），双TSOP -6封装

先进沟槽技术的低导通电阻

减少栅极电荷提高开关响应

独立连接的设备提供设计灵活性

这是一个Pb - Free设备

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

N沟道

30 V

P- CH

30

V

R

DS （ ON）

最大

90毫瓦@ 4.5 V

125毫瓦@ 2.5 V

170毫瓦@

4.5

V

300毫瓦@

2.5

V

I

D

最大

（注1 ）

2.6 A

2.2 A

1.9

A

1.0

A

应用

的DC-DC转换电路

负载/电源开关与电平转换

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

N沟道

连续漏极

电流（注1 ）

P- CHANNEL

连续漏极

电流（注1 ）

功耗

（注1 ）

脉冲漏

当前

（ N-CH & P -CH ）

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

t

p

= 10

ms

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

T

L

I

D

稳定

状态

t

≤

5s

稳定

状态

t

≤

5s

稳定状态

t

≤

5s

N沟道

P- CH

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

30

±12

2.6

1.9

2.9

1.9

1.4

2.2

0.9

1.1

8.6

6.3

55

to

150

±0.9

260

°C

A

°C

A

W

A

单位

V

V

A

D1

D2

G1

S1

N沟道MOSFET

G2

S2

P沟道MOSFET

记号

图

1

TSOP6

CASE 318G

13风格

TA

M

G

MG TA

G

1

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

=具体设备守则

=日期代码

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

引脚连接

符号

R

qJA

R

qJA

价值

140

110

单位

° C / W

° C / W

S2

G2

G1

D1

S1

D2

热电阻额定值

参数

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 吨

≤

5秒（注1 ）

1

2

3

（ TOP VIEW ）

6

5

4

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸

[ 1盎司]包括痕迹）。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第9页。

半导体元件工业有限责任公司， 2008年

2008年12月，

第1版

1

出版订单号：

NTGD4167C/D

NTGD4167C

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

N

P

N

P

N

P

N

P

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

N

P

N

P

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅 - 源栅极电荷

栅 - 漏“米勒”充电

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅 - 源栅极电荷

栅 - 漏“米勒”充电

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

P

V

GS

=

4.5

V, V

DD

=

15

V,

I

D

=

1.0

A，R

G

= 6.0

W

N

V

GS

= 4.5 V, V

DD

= 15 V,

I

D

= 1.0 A，R

G

= 6.0

W

7.0

4.0

14

2.0

8.0

8.0

22

8.0

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

P

V

GS

=

4.5

V, V

DS

=

15

V，I

D

=

2.0

A

N

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V，I

D

= 2.0 A

P

N

F = 1MHz时， V

GS

= 0 V

V

DS

=

15

V

V

DS

= 15 V

295

48

27

419

51

26

3.7

0.6

0.9

0.8

3.9

0.6

1.0

1.0

6.0

nC

5.5

pF

g

FS

N

P

V

GS

= V

DS

I

D

= 250

mA

I

D

=

250

mA

0.5

0.5

0.9

1.1

52

67

130

202

2.6

2.6

1.5

1.5

90

125

170

300

S

mW

V

I

GSS

N

P

V

GS

= 0 V, V

DS

= 24 V

V

GS

= 0 V, V

DS

=

24

V

V

GS

= 0 V, V

DS

= 24 V

V

GS

= 0 V, V

DS

=

24

V

T

J

= 25

°C

T

J

= 85

°C

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

mA

I

D

=

250

mA

30

30

21.4

22.2

1.0

1.0

10

10

±100

±100

nA

mA

毫伏/°C的

V

符号

N / P

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±12

V

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±12

V

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 2.6 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 2.2 A

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

1.9

A

V

GS

=

2.5

V，I

D

=

1.0

A

V

DS

= 15 V，I

D

= 2.6 A

V

DS

=

15

V，I

D

=

1.9

A

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

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2

NTGD4167C

3.开关特性是独立的工作结点温度。

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

符号

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

P

V

GS

= 0 V,

dI

S

/ DT = 100 A /小姐，我

S

=

0.9

A

N

V

GS

= 0 V,

dI

S

/ DT = 100 A /小姐，我

S

= 0.9 A

N / P

N

P

测试条件

I

S

= 0.9 A

I

S

=

0.9

A

民

典型值

0.7

0.8

8.0

5.0

3.0

3.0

12

10

2.0

7.0

nC

nC

ns

最大

1.2

1.2

ns

单位

V

漏源二极管特性

V

GS

= 0 V ，T

J

= 25

°C

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3

NTGD4167C

N沟道典型特征

9.0

8.0

I

D

，漏电流（ A）

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

1.5 V

2.5 V

9.0

8.0

I

D

，漏电流（ A）

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0

0.75

1

1.25

1.5

125°C

55°C

25°C

V

DS

= 5 V

V

GS

= 4.5 V

3.5 V

T

J

= 25°C

2.0 V

1.75

2

2.25

2.5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.20

R

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（ W）

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

I

D

= 2.6 A

T

J

= 25°C

0.10

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0

图2.传输特性

T

J

= 25°C

V

GS

= 2.5 V

V

GS

= 4.5 V

5.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

V

GS

，栅极电压（V ）

I

D

，漏电流（ A）

图3. -区与栅 - 源

电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

50

25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

= 2.6 A

V

GS

= 4.5 V

C，电容（pF ）

400

350

300

250

200

150

100

50

0

图4.导通电阻与漏电流和

温度

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.电容变化

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4

NTGD4167C

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

5

4

V

DS

3

2

1

0

0

1

2

3

4

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

Q

GS

Q

GD

V

GS

Q

T

16

14

12

10

8

6

I

D

= 2.0 A

T

J

= 25°C

V

DS

= 15 V

4

2

0

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

I

S

，源电流（ A）

1.0

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

0.1

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

1.2

1.1

1.0

功率（W）的

V

GS （ TH）

(V)

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

50

25

0

25

50

75

100

125

150

0

0.001

I

D

= 250

mA

30

40

图8.二极管的正向电压与

当前

20

10

0.01

0.1

1

10

100

1000

T

J

，结温（ ° C）

单脉冲时间（s ）

图9.阈值电压

100

V

GS

= 12 V

单脉冲

T

A

= 25°C

图10.单脉冲最大功率

耗散

I

D

，漏电流（ A）

10

100

ms

1

1毫秒

10毫秒

0.1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

10

dc

100

0.01

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

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5

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2443+

23000

SOT-163

一级代理专营，原装现货，价格优势

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联系人：张女士

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汽车ON

21+22+

15000

TSOP-6

原装正品,欢迎询价

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HAMOS/汉姆

24+

22000

SOT-23-6

原装正品假一赔百！

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24+

21000

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真实库存信息/只做原装正品/支持实单

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TSOP-6

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联系人：夏小姐/朱先生

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32000

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22+

32570

SMD

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15360

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