添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第426页 > NTGD4161P_06
NTGD4161P
功率MOSFET
-30 V, -2.3 A,双P沟道, TSOP- 6
特点
开关速度快
低栅电荷
低R
DS ( ON)
独立连接的设备提供设计灵活性
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
160毫瓦@ -10 V
280毫瓦@ -4.5 V
应用
负荷开关
电池保护
便携式设备如PDA,蜂窝电话和硬盘驱动器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定
状态
t
5s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
5s
连续漏极
电流(注2 )
功率耗散(注2 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.1
1.5
2.3
1.1
1.3
1.5
1.1
0.6
10
-55
150
0.8
260
W
A
°C
A
°C
A
W
单位
V
V
A
P- CHANNEL
(MOSFET1)
D1
P- CHANNEL
(MOSFET2)
D2
G1
G2
S1
S2
标记图
D1 D2 S1
1
TSOP6
CASE 318G
13风格
S8
M
G
S8 MG
G
G1 S2 G2
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
(注:微球可在任一位置)
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注2 )
结 - 环境 - 吨
5秒(注1 )
结到外壳 - 稳态(注1 )
R
QJC
符号
R
qJA
最大
115
225
95
40
单位
° C / W
*日期代码取向可以根据变化
制造地点。
订购信息
设备
NTGD4161PT1G
TSOP6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1英寸焊盘尺寸的FR4板
(铜,面积= 1.2
2
[ 1盎司]包括痕迹)
2.表面安装的FR4板采用最低配置推荐
焊盘尺寸(铜,面积= 0.047的
2
)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年9月 - 第1版
出版订单号:
NTGD4161P/D
NTGD4161P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
30
22
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
栅极阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
1.9
4.7
3.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= -10 V,I
D
= 2.1 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= 1.6 A
105
190
2.7
160
280
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
g
FS
V
DS
= -5.0 V,I
D
= 2.1 A
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5.0 V,
I
D
= 2.1A
V
DS
= -15 V,F = 1.0 MHz时,
V
GS
= 0 V
281
50
28
5.6
0.65
1.2
0.90
7.1
pF
nC
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= -1.0 A,R
G
= 6.0
Ω
7.6
9.2
12.5
4.5
14
23
20
12
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 0.8 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.79
0.65
8.0
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 100 A / MS ,
I
S
= 0.8 A
5.7
2.3
3
nC
ns
1.2
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
3.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTGD4161P
典型性能曲线
5
I
D
,漏电流( A)
5
10 V
4.5 V
T
J
= 25°C
I
D
,漏电流( A)
V
DS
3 V
4
4 V
4
3
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3
2
2
150°C
25°C
40°C
0
1
3.2 V
3 V
2.8 V
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
5
1
0
1
2
3
4
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
5
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
图2.传输特性
0.5
I
D
= 2.1 A
0.4
0.4
0.35
0.3
V
GS
= 4.5 V
0.25
0.2
0.15
0.1
V
GS
= 10 V
0.05
0
0
1
2
3
4
5
6
I
D
,漏电流( A)
T
J
= 25°C
0.3
T
J
= 125°C
0.2
T
J
= 25°C
0.1
0
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极电阻
0.3
1000
V
GS
= 0 V
I
D
= 1.6 A
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
,漏电( NA)
T
J
= 150°C
0.2
100
T
J
= 125°C
0.1
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 10 V
0.0
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.导通电阻变化与
温度
http://onsemi.com
3
NTGD4161P
典型性能曲线
350
300
C,电容(pF )
250
200
150
100
50
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
10
Q
T
8
V
GS
6
Q
GS
Q
GD
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
8
6
4
4
2
V
DS
0
0
1
2
3
4
5
Q
G
,总栅极电荷( NC)
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25°C
2
0
6
漏极至源极电压(V )
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
0.8
I
S
,源电流( A)
I
D
,漏电流( A)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
0.7
0.8
0.9
1.0
T
J
= 150°C
V
GS
= 0 V
10
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
A
= 25°C
100
ms
1毫秒
1
10毫秒
0.1
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
dc
T
J
= 125°C
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图9.二极管的正向电压与
当前
图10.最大额定正向偏置
安全工作区
1.0
R
qJA
有效的瞬态热
响应(标准化)
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
0.001
1E06
单脉冲
1E05
1E04
1E03
1E02
T,时间(S )
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
图11. FET热响应
http://onsemi.com
4
NTGD4161P
包装尺寸
TSOP6
CASE 318G -02
ISSUE S
D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
英寸
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
6
5
1
2
4
3
H
E
E
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
c
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
焊接足迹*
2.4
0.094
风格13 :
PIN 1门1
2.源2
3.门2
4.排水2
5.源1
6.排水1
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
NTGD4161P/D
查看更多NTGD4161P_06PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTGD4161P_06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多NTGD4161P_06供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!