NTGD4161P
功率MOSFET
-30 V, -2.3 A,双P沟道, TSOP- 6
特点
开关速度快
低栅电荷
低R
DS ( ON)
独立连接的设备提供设计灵活性
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
160毫瓦@ -10 V
280毫瓦@ -4.5 V
应用
负荷开关
电池保护
便携式设备如PDA,蜂窝电话和硬盘驱动器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流(注2 )
功率耗散(注2 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.1
1.5
2.3
1.1
1.3
1.5
1.1
0.6
10
-55
150
0.8
260
W
A
°C
A
°C
A
W
单位
V
V
A
P- CHANNEL
(MOSFET1)
D1
P- CHANNEL
(MOSFET2)
D2
G1
G2
S1
S2
标记图
D1 D2 S1
1
TSOP6
CASE 318G
13风格
S8
M
G
S8 MG
G
G1 S2 G2
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
(注:微球可在任一位置)
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注2 )
结 - 环境 - 吨
≤
5秒(注1 )
结到外壳 - 稳态(注1 )
R
QJC
符号
R
qJA
最大
115
225
95
40
单位
° C / W
*日期代码取向可以根据变化
制造地点。
订购信息
设备
NTGD4161PT1G
包
TSOP6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1英寸焊盘尺寸的FR4板
(铜,面积= 1.2
2
[ 1盎司]包括痕迹)
2.表面安装的FR4板采用最低配置推荐
焊盘尺寸(铜,面积= 0.047的
2
)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年9月 - 第1版
出版订单号:
NTGD4161P/D
NTGD4161P
包装尺寸
TSOP6
CASE 318G -02
ISSUE S
D
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.38
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
英寸
喃
0.039
0.002
0.014
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
6
5
1
2
4
3
H
E
E
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
c
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
民
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0°
民
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
0°
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
焊接足迹*
2.4
0.094
风格13 :
PIN 1门1
2.源2
3.门2
4.排水2
5.源1
6.排水1
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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和
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