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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第210页 > NTF5P03T3G
NTF5P03T3G ， NVF5P03T3G
功率MOSFET
5.2 A， 30 V
P沟道SOT- 223
特点
http://onsemi.com
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
微型SOT- 223表面贴装封装
较高的雪崩能量
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
NVF5P03T3G
这些器件是无铅和符合RoHS标准
DC-DC转换器
电源管理
电机控制
感性负载
替换MMFT5P03HD
5.2安培， 30伏
R
DS （ ON）
= 100毫瓦
S
G
应用
D
P沟道MOSFET
4
1
记号
图
&引脚
转让
漏
4
AYM
5P03
G
G
1
门
2
3
漏源
2
3
SOT223
CASE 318E
方式3
A
=大会地点
Y
=年
M
=日期代码
5P03 =具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTF5P03T3G
NVF5P03T3G
包
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
航运
4000 /磁带&
REEL
4000 /磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年10月
启5
1
出版订单号：
NTF5P03T3/D
NTF5P03T3G ， NVF5P03T3G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
负号为P沟道器件为清楚起见省略
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续
1平方英寸
FR-4或G- 10的PCB
10秒
最低
FR-4或G- 10的PCB
10秒
热阻
结到环境
总功率耗散@ T
A
= 25°C
线性降额因子
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注1 ）
热阻
结到环境
总功率耗散@ T
A
= 25°C
线性降额因子
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
R
thJA
P
D
I
D
I
D
最大
30
30
±
20
40
3.13
25
5.2
4.1
26
80
1.56
12.5
3.7
2.9
19
55 150
250
单位
V
V
V
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
° C / W
瓦
毫瓦/°C的
A
A
A
°C
mJ
I
DM
R
thJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
30
VDC ，V
GS
=
10
VDC ，峰值I
L
=
12
APK ， L = 3.5 mH的，R
G
= 25
W)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
http://onsemi.com
2
NTF5P03T3G ， NVF5P03T3G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压（ Cpk值
≥
2.0 ）（注2和4）
(V
GS
= 0伏，我
D
=
0.25
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
=
24
VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
=
24
VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
30
28
1.0
25
±
100
VDC
毫伏/°C的
MADC
I
DSS
I
GSS
NADC
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压（ Cpk值
≥
2.0 ）（注2和4）
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
0.25
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（ Cpk值
≥
2.0 ）（注2和4）
(V
GS
=
10
VDC ，我
D
=
5.2
ADC）
(V
GS
=
4.5
VDC ，我
D
=
2.6Adc)
正向跨导（注2 ）
(V
DS
=
15
VDC ，我
D
=
2.0
ADC）
V
GS （ TH）
1.0
2.0
1.75
3.5
76
107
3.9
3.0
100
150
VDC
毫伏/°C的
mW
R
DS （ ON）
g
fs
姆欧
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
=
25
VDC ，V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
500
153
58
950
440
140
pF
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
=
24
VDC ，我
D
=
4.0
ADC ，
V
GS
=
10
伏直流电）（注2）
(V
DD
=
15
VDC ，我
D
=
2.0
ADC ，
V
GS
=
10
VDC ，
R
G
= 6.0
W)
（注2 ）
(V
DD
=
15
VDC ，我
D
=
4.0
ADC ，
V
GS
=
10
VDC ，
R
G
= 6.0
W)
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
Q3
10
33
38
20
16
45
23
24
15
1.6
3.5
2.6
24
48
94
92
38
110
60
80
38
nC
ns
ns
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
=
4.0
ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
=
4.0
ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 125°C ） （注2 ）
(I
S
=
4.0
ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS） （注2 ）
V
SD
1.1
0.89
34
20
14
0.036
1.5
mC
VDC
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
反向恢复电荷存储
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
4.反映的典型值。
最高限额
*
典型值
CPK
+
3西格玛
http://onsemi.com
3
NTF5P03T3G ， NVF5P03T3G
典型电气特性
5
4
3
2
1
V
GS
=
2.7
V
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2 1.4 1.6 1.8
V
DS ，
漏极至源极电压（V ）
2
6
V
8
V
10
V
10
3.7
V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（ A）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2
T
J
= 100°C
T
J
=
55°C
5
T
J
= 25°C
V
DS
≥
10
V
3.9
V
I
D,
漏电流（ A）
4.1
V
4.3
V
4.5
V
3.5
V
3.1
V
2.8
V
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS ，
栅 - 源电压（V）的
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
3
4
5
6
7
8
9
I
D
=
5.2
A
T
J
= 25°C
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.200
0.180
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
1
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
10
V
10
2.5
4
5.5
7
8.5
10
V
GS ，
栅 - 源电压（V）的
I
D,
漏电流（ A）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻
（归一化）
1.65
1.55
1.45
1.35
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
0.65
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
=
5.2
A
V
GS
=
10
V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
100
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS ，
漏极至源极电压（V ）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTF5P03T3G ， NVF5P03T3G
典型电气特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
1000
900
C，电容（pF ）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
C
OSS
C
RSS
10
15
20
25
漏极至源极电压（V ）
30
C
国际空间站
12.5
V
DS
10
7.5
5.0
2.5
Q
T
25
20
15
10
I
D
=
2
A
T
J
= 25°C
5
0
60
V
GS
Q
1
Q
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
4.00
I
S
，源电流（ A）
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0.5
0.55 0.6
0.65 0.7
0.75 0.8
0.85 0.9
0.95 1
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1000
V
DD
=
15
V
I
D
=
4.0
A
V
GS
=
10
V
t
D（关闭）
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
10
t
D（上）
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
250
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
=
6
A
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
T
J
，起动结温（ ° C）
10
1
dc
10毫秒
1毫秒
0.1
100
ms
10
ms
0.01
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
安装在2 “平方。 FR4板（ 1 “平方2盎司铜0.06 ”厚
单面）与模具操作， 10秒以内。
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
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查看更多NTF5P03T3GPDF信息
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N74F712AD
NJU7261U30
NR-SLD-5
NRSA4R7M25V5X11TRF
N05AD92
NATT470M16V6.3X6.3LBF
NM93C66EN
NCV4275ADS50R4G
NJM12904R
NJM386BM
NAND128W3A0BZA1F
NX8567SA429-BC
NB6HQ14MMNG
NJU26104
NML04J33NTRF
N74F543D-T
NCP301LSN39T1G
NAND256W3A2CN1E
NRN4S104GLS
NCP301HSN12T1
供货商
型号
厂家
批号
数量
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单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    NTF5P03T3G
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