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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第452页 > NTF3055L175T3LF
NTF3055L175
首选设备
功率MOSFET
2.0安培， 60伏特，逻辑电平
N沟道SOT- 223
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
2.0安培
60伏特
R
DS （ ON）
= 175毫瓦
N沟道
D
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
≤
10
s)
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
I
L（ PK）
= 3.6 ， L = 10毫亨，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
价值
60
60
±
15
±
20
2.0
1.2
6.0
2.1
1.3
0.014
-55
175
65
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
W
W / ℃，
°C
mJ
5L175
L
WW
=器件代码
=地点代码
=工作周
1
4
G
S
记号
图
I
D
I
D
I
DM
P
D
2
3
SOT–223
CASE 318E
方式3
5L175
LWW
T
J
, T
英镑
E
AS
引脚分配
° C / W
R
θJA
R
θJA
T
L
72.3
114
260
°C
4
漏
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， 1盎司的FR4板。 （铜，面积
在0.995
2
).
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
尺寸， 2-2.4盎司（铜，面积0.272
2
).
1
2
3
门
漏
来源
订购信息
设备
NTF3055L175T1
NTF3055L175T3
包
SOT–223
SOT–223
航运
1000磁带和放大器;卷轴
4000磁带&卷轴
4000磁带&卷轴
NTF3055L175T3LF SOT- 223
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 第1版
出版订单号：
NTF3055L175/D
NTF3055L175
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±
15 VDC ，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
60
–
I
DSS
–
–
I
GSS
–
–
–
–
1.0
10
±
100
NADC
72.8
74.4
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 1.0 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 2.0 ADC）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 1.0 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）
(V
DS
= 8.0伏，我
D
= 1.5 ADC）
V
GS （ TH）
1.0
–
R
DS （ ON）
–
V
DS （ ON）
–
g
fs
–
0.32
0.57
3.2
0.42
–
–
姆欧
155
175
VDC
1.7
4.2
2.0
–
VDC
毫伏/°C的
m
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0 V,
Vd
V
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
–
–
–
194
70
29
270
100
40
pF
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 2.0 ADC ，
Vd
2 0广告
V
GS
= 5.0伏） （注3）
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 2.0 ADC ，
V
GS
= 5.0伏，
5 0伏
R
G
= 9.1
)
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
–
–
–
–
–
–
–
10.2
21
14.3
15.3
5.1
1.4
2.5
20
40
30
30
10
–
–
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 2.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 2.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 150℃） （注3）
V
SD
–
–
t
rr
(I
S
= 2.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / μs）内（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
a
t
b
Q
RR
–
–
–
–
0.84
0.68
28.3
15.6
12.7
0.027
1.0
–
–
–
–
–
C
ns
VDC
反向恢复时间
http://onsemi.com
2
NTF3055L175
3.2
I
D,
漏电流（安培）
I
D,
漏电流（安培）
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3 V
3.2
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
4.2
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
T
J
= 25°C
T
J
= –55°C
T
J
= 100°C
V
DS
≥
10 V
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ Ω ）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ Ω ）
图2.传输特性
0.28
V
GS
= 5 V
0.24
0.2
T
J
= 25°C
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
T
J
= –55°C
T
J
= 100°C
0.28
V
GS
= 10 V
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
I
D,
漏电流（安培）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
–50
I
D
= 1 A
V
GS
= 5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 100°C
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
0
10
20
30
40
50
60
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTF3055L175
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
700
600
C，电容（pF ）
7
V
GS
6
5
4
3
2
1
0
0
I
D
= 2 A
T
J
= 25°C
1
2
3
4
5
6
Q
1
Q
T
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
500
400
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
0
10
C
RSS
5 V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
25
C
RSS
Q
2
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
100
I
S
，源电流（安培）
V
DS
= 30 V
I
D
= 2 A
V
GS
= 5 V
T， TIME （ NS ）
2
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1.6
t
r
10
t
D（上）
1.2
t
f
t
D（关闭）
0.8
0.4
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
100
0
0.6
0.64
0.68
0.72
0.76
0.8
0.84
0.88
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 15 V
单脉冲
T
C
= 25°C
70
图10.二极管的正向电压与电流
10毫秒
1毫秒
100
s
I
D
= 6 A
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
10
10
ms
1
0.1
0.01
0.001
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
dc
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
http://onsemi.com
4
NTF3055L175
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
100
D = 0.5
10
0.2
0.1
0.05
1
测试类型> MIN PAD 1盎司
（铜面积= 0.272平方英寸）
< DIE SIZE 56 X 56 MILS
R
θJC
= MIN PAD 1盎司
（铜面积= 0.272平方英寸）
° C / W
P
（ PK）
0.01
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
10
100
1000
t
1
1
图13.热响应
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5
NTF3055L175
首选设备
功率MOSFET
2.0 A ， 60 V ，逻辑电平
N沟道SOT- 223
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
应用
2.0 A ， 60 V
R
DS （ ON）
= 175毫瓦
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
I
L（ PK）
= 3.6 ， L = 10毫亨，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
价值
60
60
±
15
±
20
2.0
1.2
6.0
2.1
1.3
0.014
55
175
65
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
1
4
S
2
3
SOT223
CASE 318E
方式3
I
D
I
D
I
DM
P
D
标记图
APK
W
W
W / ℃，
°C
mJ
5L175
L
WW
=器件代码
=地点代码
=工作周
5L175
LWW
T
J
, T
英镑
E
AS
引脚分配
4
漏
° C / W
R
qJA
R
qJA
T
L
72.3
114
260
°C
1
2
3
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， 1盎司的FR4板。 （铜，面积
在0.995
2
).
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
尺寸， 2-2.4盎司（铜，面积0.272
2
).
门
漏
来源
订购信息
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首选
装置被推荐用于将来的选择
使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年2月 - 第2版
出版订单号：
NTF3055L175/D
NTF3055L175
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 1.0 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 2.0 ADC）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 1.0 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 2.0 ADC ，
Vd
2 0广告
V
GS
= 5.0伏） （注3）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 2.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 2.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 150℃） （注3）
V
SD
t
rr
(I
S
= 2.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
a
t
b
Q
RR
0.84
0.68
28.3
15.6
12.7
0.027
1.0
mC
ns
VDC
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 2.0 ADC ，
V
GS
= 5.0伏，
5 0伏
R
G
= 9.1
W)
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
10.2
21
14.3
15.3
5.1
1.4
2.5
20
40
30
30
10
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0 V,
Vd
V
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
194
70
29
270
100
40
pF
(V
DS
= 8.0伏，我
D
= 1.5 ADC）
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
fs
0.32
0.57
3.2
0.42
姆欧
155
175
VDC
1.7
4.2
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
(V
GS
=
±
15 VDC ，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±
100
NADC
72.8
74.4
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
http://onsemi.com
2
NTF3055L175
3.2
I
D,
漏电流（安培）
I
D,
漏电流（安培）
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3 V
3.2
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
4.2
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
T
J
= 100°C
V
DS
≥
10 V
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
图2.传输特性
0.28
V
GS
= 5 V
0.24
0.2
T
J
= 25°C
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
T
J
= 55°C
T
J
= 100°C
0.28
V
GS
= 10 V
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
I
D,
漏电流（安培）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
I
D
= 1 A
V
GS
= 5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 100°C
1
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
0
10
20
30
40
50
60
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTF3055L175
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
700
600
C，电容（pF ）
7
V
GS
6
5
4
3
2
1
0
0
I
D
= 2 A
T
J
= 25°C
1
2
3
4
5
6
Q
1
Q
T
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
500
400
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
0
10
C
RSS
5 V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
25
C
RSS
Q
2
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
100
I
S
，源电流（安培）
V
DS
= 30 V
I
D
= 2 A
V
GS
= 5 V
T， TIME （ NS ）
2
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1.6
t
r
10
t
D（上）
1.2
t
f
t
D（关闭）
0.8
0.4
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.6
0.64
0.68
0.72
0.76
0.8
0.84
0.88
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 15 V
单脉冲
T
C
= 25°C
70
图10.二极管的正向电压与电流
10毫秒
1毫秒
100
ms
I
D
= 6 A
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
10
10
ms
1
0.1
0.01
0.001
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
dc
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
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4
NTF3055L175
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
100
D = 0.5
10
0.2
0.1
0.05
1
测试类型> MIN PAD 1盎司
（铜面积= 0.272平方英寸）
< DIE SIZE 56 X 56 MILS
R
QJC
= MIN PAD 1盎司
（铜面积= 0.272平方英寸）
° C / W
P
（ PK）
0.01
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
10
100
1000
t
1
1
图13.热响应
订购信息
设备
NTF3055L175T1
NTF3055L175T1G
NTF3055L175T3
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