【NTF3055L108首选设备功率MOSFET3.0 A， 60 V ，逻辑电平， N沟道SOT22】,IC型号NTF3055L108T3LFG,NTF3055L108T3LFG PDF资料,NTF3055L108T3LFG经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTF3055L108

首选设备

功率MOSFET

3.0 A， 60 V ，逻辑电平， N沟道

SOT223

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

特点

http://onsemi.com

无铅包可用

应用

3.0 A， 60 V

R

DS （ ON）

= 120毫瓦

N沟道

D

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

G

S

价值

60

±

15

±

20

3.0

1.4

9.0

2.1

1.3

0.014

55

175

74

单位

VDC

1

4

最大额定值

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 1.0毫瓦）

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

≤

10毫秒）

漏电流

- 连续@ T

A

= 25°C

- 连续@ T

A

= 100°C

- 单脉冲（T

p

≤

10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注2 ）

减免上述25℃

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 25伏，V

GS

= 5.0伏，

I

L（ PK）

= 7.0 APK ， L = 3.0 mH的，V

DS

= 60 VDC ）

热阻

-Junction到环境（注1 ）

-Junction至环境（注2）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

VDC

VPK

ADC

2

3

SOT223

CASE 318E

方式3

标记图

I

D

I

D

I

DM

P

D

APK

瓦

W / ℃，

°C

mJ

AYW

3055L =器件代码

3055LG

A

=大会地点

G

Y

=年

W

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

T

J

, T

英镑

E

AS

引脚分配

4

漏

° C / W

R

qJA

R

qJA

T

L

72.3

114

260

°C

1

2

3

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， 1盎司的FR4板。

（铜，面积0.0995

2

).

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

尺寸， 2-2.4盎司（铜，面积0.272

2

).

门

漏

来源

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年12月 - 第4版

出版订单号：

NTF3055L108/D

NTF3055L108

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 5.0伏，我

D

= 1.5 ADC）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 5.0伏，我

D

= 3.0 ADC）

(V

GS

= 5.0伏，我

D

= 1.5 ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（注3 ）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= 48伏直流，我

D

= 3.0 ADC ，

V

GS

= 5.0伏）（注3）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏，

T

J

= 150℃）（注3）

V

SD

t

rr

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

t

a

t

b

Q

RR

0.87

0.72

35

21

14

0.044

1.0

mC

ns

VDC

(V

DD

= 30伏直流电，我

D

= 3.0 ADC ，

V

GS

= 5.0伏，

R

G

= 9.1

W)

（注3）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

11

35

22

27

7.6

1.4

4.0

25

70

45

60

15

nC

ns

(V

DS

= 25伏，V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

313

112

40

440

160

60

pF

(V

DS

= 7.0伏，我

D

= 3.0 ADC）

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

fs

0.290

0.250

5.7

0.43

姆欧

92

120

VDC

1.68

4.6

2.0

VDC

毫伏/°C的

mW

(V

GS

=

±

15 VDC ，V

DS

= 0伏）

V

（ BR ） DSS

60

I

DSS

I

GSS

1.0

10

±

100

NADC

68

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

http://onsemi.com

2

NTF3055L108

6

V

GS

= 3.4 V

I

D,

漏电流（安培）

I

D,

漏电流（安培）

5

4

3

2

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

DS ，

漏 - 源电压（伏）

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 6 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 3.2 V

5

4

3

T

J

= 100°C

2

T

J

= 25°C

1

T

J

= 55°C

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

V

GS ，

栅 - 源电压（伏）

6

V

DS

> = 10 V

V

GS

= 3 V

V

GS

= 2.8 V

V

GS

= 2.5 V

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

图2.传输特性

0.16

V

GS

= 5 V

0.14

0.12

0.1

0.08

T

J

= 55°C

0.06

0.04

0.02

0

1

2

3

4

5

6

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

0.16

V

GS

= 10 V

0.14

0.12

0.1

T

J

= 25°C

0.08

0.06

0.04

0.02

0

1

2

3

4

5

6

T

J

= 55°C

T

J

= 100°C

I

D,

漏电流（安培）

I

D,

漏电流（安培）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（标准化）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

V

GS ，

栅 - 源电压（伏）

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

1

25

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

，结温（ ° C）

I

D

= 1.5 A

V

GS

= 5 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 100°C

10

0

10

20

30

40

50

60

V

DS ，

漏 - 源电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTF3055L108

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

6

5

4

3

2

1

0

I

D

= 3 A

T

J

= 25°C

1

2

3

4

5

6

7

8

Q

1

Q

2

Q

T

V

GS

1000

C，电容（pF ）

800

600

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

C

国际空间站

C

RSS

400

200

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

0

10

5 V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 30 V

I

D

= 3 A

V

GS

= 5 V

T， TIME （ NS ）

100

t

r

t

f

3.2

2.8

2.4

2

1.6

1.2

0.8

0.4

0

0.54

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

t

D（关闭）

t

D（上）

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0.58

0.62 0.66

0.7

0.74 0.78 0.82 0.86 0.9

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

100

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 15 V

单脉冲

T

C

= 25°C

10

10毫秒

1

dc

1毫秒

0.1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

100

ms

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

80

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 7 A

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

0.01

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NTF3055L108

10

R（T ），有效瞬态热响应

电阻（标准化）

1 ×1英寸1盎司的Cu焊盘（ 3× 3英寸的FR4 ）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1

10

100

1000

图13.热响应

订购信息

设备

NTF3055L108T1

NTF3055L108T1G

NTF3055L108T3

NTF3055L108T3G

NTF3055L108T3LF

NTF3055L108T3LFG

包

SOT- 223 （ TO- 261 ）

（无铅）

SOT- 223 （ TO- 261 ）

（无铅）

SOT- 223 （ TO- 261 ）

（无铅）

航运

1000 /磁带&卷轴

4000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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5