NTF3055-160
首选设备
功率MOSFET
2.0安培， 60伏
N沟道SOT- 223
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
2.0安培
60伏特
RDS （ ON）= 160毫瓦
N沟道
D
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10 VDC ，
IL （ PK） = 6.0 APK， L = 10毫亨， VDS = 60 V直流）
热阻
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
价值
60
60
±
20
±
30
2.0
1.2
6.0
2.1
1.3
0.014
-55
175
65
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
W
W / ℃，
°C
mJ
5160
L
WW
=器件代码
=地点代码
=工作周
1
4
G
S
记号
图
ID
ID
IDM
PD
2
3
SOT–223
CASE 318E
方式3
5160
LWW
TJ ， TSTG
EAS
引脚分配
° C / W
R
θJA
R
θJA
TL
72.3
114
260
°C
4
漏
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜，面积1.127平方英寸） 。
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
尺寸， 2-2.4盎司（铜，面积0.272平方英寸） 。
1
2
3
门
漏
来源
订购信息
设备
NTF3055–160T1
NTF3055–160T3
NTF3055–160T3LF
包
航运
SOT- 223 1000磁带&卷轴
SOT- 223 4000磁带&卷轴
SOT- 223 4000磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年7月 - 修订版0
出版订单号：
NTF3055–160/D
NTF3055–160
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流
（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
V（ BR ） DSS
60
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±
100
NADC
72
72
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
基本特征
（注3 ）
栅极阈值电压（注3 ）
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.0 ADC ）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.0 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（注3 ）
（ VDS = 8.0伏， ID = 1.5 ADC ）
VGS （ TH）
2.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
政府飞行服务队
–
0.142
0.270
1.8
0.384
–
–
姆欧
142
160
VDC
3.1
6.6
4.0
–
VDC
毫伏/°C的
m
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 V ，
Vd
V
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
200
68
26
280
100
40
pF
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 2.0 ADC ，
Vd
2 0广告
VGS = 10 V直流） （注3 ）
（ VDD = 30 V直流， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
VDC
RG = 9.1
)
（注3 ）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
–
–
–
–
–
–
–
9.2
9.2
16
9.2
6.9
1.4
3.0
20
20
40
20
14
–
–
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
（ IS = 2.0 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 2.0 ADC ， VGS = 0伏，
TJ = 150 ° C） （注3 ）
VSD
–
–
TRR
（ IS = 2.0 ADC ， VGS = 0伏，
DIS / DT = 100 A / μs）内（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
ta
tb
QRR
–
–
–
–
0.86
0.70
28.9
19.1
9.8
0.030
1.0
–
–
–
–
–
C
ns
VDC
反向恢复时间
http://onsemi.com
2
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