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NTE857M
NTE857SM
集成电路
低噪声JFET输入运算放大器
描述:
该NTE857M和NTE857SM是低噪声JFET输入运算放大器将两个
国家的最先进的线性技术,在一个单片集成电路。每一个内部的COM
补偿的运算放大器具有良好的低输入失调匹配的高电压JFET输入设备
电压。该BIFET技术提供宽带宽和快速压摆率,低输入偏置电流
租金,输入偏置电流和电源电流。此外,这些器件具有低噪声和低
谐波失真使它们非常适合高保真音频放大器应用。
产品特点:
D
有两种不同的封装类型:
8引脚小型DIP ( NTE857M )
SOIC - 8表面贴装( NTE857SM )
D
低输入噪声电压: 18nV√Hz典型值
D
低谐波失真: 0.01 %典型值
D
低输入偏置和失调电流
D
高输入阻抗: 10
12
典型值
D
高压摆率: 13V /μs的典型值
D
宽增益带宽: 4MHz时典型值
D
低电源电流:每个放大器1.4毫安
绝对最大额定值:
电源电压
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18V
V
EE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –18V
差分输入电压,V
ID
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±30V
输入电压范围(注1 ) ,V
IDR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±15V
输出短路持续时间(注2 ) ,T
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
功耗,P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 680MW
减免上述牛逼
A
= + 47 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫瓦/°C的
工作环境温度范围内,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至+ 70°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
注1.在输入电压的大小必须不超过电源电压的大小或者
15V ,以较低者为准。
注2.输出可能短路到GND或任一电源。温度和/或电源电压
必须被限制,以保证功率耗散ratungs不被超过。
电气特性:
(V
CC
= +15V, V
EE
= ± 15V ,T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
输入失调电压
平均气温
输入系数失调
电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
共模输入电压
范围
大信号电压增益
输出电压摆幅
(峰 - 峰值)
符号
V
IO
测试条件
R
S
10k,
V
CM
= 0
T
A
= 0至+ 70°C
典型值
3
10
最大
10
13
单位
mV
mV
μV/°C
V
IO
/T T
A
= 0至+ 70°C
I
IO
I
IB
r
i
V
ICR
A
VOL
V
O
V
CM
= 0,
注3
V
CM
= 0,
注3
T
A
= 0至+ 70°C
T
A
= 0至+ 70°C
5
30
10
12
50
2
200
7
2.5
pA
nA
pA
nA
V
V / MV
V / MV
V
V
V
dB
dB
mA
兆赫
V / μs的
s
%
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
dB
±10
+15, –12
V
O
=
±10V,
R
L
2k
R
L
= 10k
R
L
10k
R
L
2k
T
A
= 0至+ 70°C
25
T
A
= 0至+ 70°C
15
24
24
20
70
70
V
IN
= 10V ,R
L
= 2K ,C
L
= 100pF的
V
IN
= 20mV的,R
L
= 2k,
C
L
= 100pF的
150
28
100
100
1.4
4
13
0.1
10
18
0.01
0.01
120
共模抑制比
电源电压抑制比
电源电流(每个放大器)
单位增益带宽
压摆率
上升时间
过冲因子
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
声道分离
CMRR
S
10k
PSRR
I
D
BW
SR
t
r
R
S
10k
e
n
i
n
THD
R
S
= 100Ω , F = 1000Hz的
R
S
= 100Ω , F = 1000Hz的
V
O( RMS)
= 10V ,R
S
1k,
R
L
2K , F = 1000Hz的
A
V
= 100
需要注意的JFET输入运算放大器3.输入偏置电流约一倍,每10℃
上升的结温。为了保持结点温度接近环境温
perature成为可能,必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
引脚连接图
NULL OFFSET
相输入( 1 )
非反相输入端( 1 )
V
EE
1
2
3
4
8
7
6
5
北卡罗来纳州
V
CC
产量
NULL OFFSET
NTE857M
8
5
.260 (6.6)
1
4
.390 (9.9)
最大
.155
(3.93)
.300
(7.62)
.100 (2.54)
.300 (7.62)
.145 (3.68)
NTE857SM
.192 (4.9)
8
5
.154
(3.91)
.236
(5.99)
1
4
.050 (1.27)
016
(.406)
061
(1.53)
.198 (5.03)
.006 (.152)
注:针脚1对斜面边缘
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