NTE6401
单结晶体管
描述：
该NTE6401被设计用于脉冲和定时电路，检测电路以及晶闸管触发
电路。
产品特点：
D
低峰点电流： 5μA （最大值）
D
低发射极反向电流： .005μA （典型值）
D
表面钝化可靠性&均匀
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
功率耗散（注1 ） ，P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
RMS发射极电流，I
E（ RMS）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
峰值脉冲发射极电流（注2 ） ，我
E
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
发射极反向电压，V
B2E
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Interbase的电压，V
B2B1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
注1减免为3mW /°C的增加，环境温度。的总功率耗散（购
功率发射器和相应的-下）必须由外部电路来限制。
注2电容放电 - 10μF以内， 30伏或更低
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
内在防区比
IB的阻力
IB的电阻温度
系数
符号
测试条件
V
B2B1
= 10V ，注3
V
B2B1
= 3V ，我
E
= 0
民
0.56
4.7
0.1
典型值
–
7.0
–
最大
0.75
9.1
0.9
单位
–
k
%/°C
η
r
BB
ar
BB
注3.内在防区比，
η
被定义为方程式：
η
= V
P
– V
F
V
B2B1
哪里
V
P
=峰值点发射极电压
V
B2B1
= Interbase的电压
V
F
=发射器基，结一个二极管压降（ 0.45V @ 10μA ）
电气特性（续） ：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
发射极饱和电压
Interbase的调制电流
发射极反向电流
峰值点发射极电流
谷点电流
BASE-一个峰值脉冲电压
符号
测试条件
民
–
–
–
–
4
3
典型值
3.5
15
0.005
1
6
5
最大
–
–
12
5
–
–
单位
V
mA
A
A
mA
V
V
EB1(sat)
V
B2B1
= 10V ，我
E
= 50mA时注4
I
B2(mod)
I
EB20
I
P
I
V
V
OB1
V
B2B1
= 10V ，我
E
= 50毫安
V
B2E
= 30V ，我
B1
= 0
V
B2B1
= 25V
V
B2B1
= 20V ，R
B2
= 100
注4.使用脉冲技术：脉冲宽度 300μS ，占空比
≤
2％ ，以避免由于内部加热
的InterBase调制这可能会导致错误的读数。
0.230 （ 5.84 ）最大直径
0.195 （ 4.95 ）最大直径
.210 (5.33)
最大
0.030 （ 0.762 ）最大
.500
(12.7)
民
.018 (0.45)
基地1
辐射源
45°
基地2 /箱
.041 (1.05)
QQ：2881677436 复制
