NTE5650通NTE5653
TRIAC - 100V
RM
, 2.5A
描述:
该NTE5650通过NTE5653敏感栅可控硅被设计成直接驱动IC和
MOS器件。这些装置设有一个无空隙的玻璃钝化芯片和被密封
在TO- 5外形罐。
该NTE5650通过NTE5653是双向三端可控硅,并且可以从摘切换
状态到导通为施加电压的任一极性与正或负的栅极触发电流
与设计用于照明,加热,冷却控制应用程序和静态开关继电器。
绝对最大额定值:
重复峰值断态电压(T
J
= + 90 ° C,门打开,注1 ) ,V
DROM
NTE5650 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100V
NTE5651 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
NTE5652 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE5653 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
RMS通态电流(T
C
= 360 ° + 75 ° C和导通角) ,我
T( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . 3A
峰值浪涌(不重复)通态电流(一Cycleat 50Hz或60Hz ) ,我
TSM
. . . . . . . . 30A
峰值栅极触发电流( 3μsec ,最大) ,我
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
峰值栅极功率耗散(我
GT
≤
I
GTM
为3μsec 。最大值) ,磷
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
平均栅极耗散功率,P
G( AV )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2W
工作温度范围(T
C
), T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40°至+ 90℃的
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
典型热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 ° C / W
注1,所有的值适用于任一方向。
电气特性:
(在最大额定值&指定外壳温度)
参数
峰值断态电流
最大通态电压
DC保持电流
临界速率的高层关闭状态的
电压
直流栅极触发电流
MT
2
( + )门( + ) , MT
2
( - )门( - )
MT
2
( + )门( - ) , MT
2
( - )门( + )
符号
I
DROM
V
TM
I
HO
危急
dv / dt的
I
GT
测试条件
T
J
= + 90 ° C,V
DROM
=最大额定值,
门打开,注1
T
C
= + 25 ° C,I
T
= 5A (峰值) ,注1
T
C
= + 25 ° C,门打开
T
C
= + 90 ° C,V
D
= V
DROM
,门打开,
注1
T
C
= + 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
= 39
民
–
–
–
–
典型值
–
–
–
3
最大单位
0.75
1.85
5
–
mA
V
mA
V / μs的
–
–
3
mA
注1,所有的值适用于任一方向。
NTE5650通NTE5653
TRIAC - 100V
RM
, 2.5A
描述:
该NTE5650通过NTE5653敏感栅可控硅被设计成直接驱动IC和
MOS器件。这些装置设有一个无空隙的玻璃钝化芯片和被密封
在TO- 5外形罐。
该NTE5650通过NTE5653是双向三端可控硅,并且可以从摘切换
状态到导通为施加电压的任一极性与正或负的栅极触发电流
与设计用于照明,加热,冷却控制应用程序和静态开关继电器。
绝对最大额定值:
重复峰值断态电压(T
J
= + 90 ° C,门打开,注1 ) ,V
DROM
NTE5650 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100V
NTE5651 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
NTE5652 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE5653 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
RMS通态电流(T
C
= 360 ° + 75 ° C和导通角) ,我
T( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . 3A
峰值浪涌(不重复)通态电流(一Cycleat 50Hz或60Hz ) ,我
TSM
. . . . . . . . 30A
峰值栅极触发电流( 3μsec ,最大) ,我
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
峰值栅极功率耗散(我
GT
≤
I
GTM
为3μsec 。最大值) ,磷
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
平均栅极耗散功率,P
G( AV )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2W
工作温度范围(T
C
), T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40°至+ 90℃的
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
典型热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 ° C / W
注1,所有的值适用于任一方向。
电气特性:
(在最大额定值&指定外壳温度)
参数
峰值断态电流
最大通态电压
DC保持电流
临界速率的高层关闭状态的
电压
直流栅极触发电流
MT
2
( + )门( + ) , MT
2
( - )门( - )
MT
2
( + )门( - ) , MT
2
( - )门( + )
符号
I
DROM
V
TM
I
HO
危急
dv / dt的
I
GT
测试条件
T
J
= + 90 ° C,V
DROM
=最大额定值,
门打开,注1
T
C
= + 25 ° C,I
T
= 5A (峰值) ,注1
T
C
= + 25 ° C,门打开
T
C
= + 90 ° C,V
D
= V
DROM
,门打开,
注1
T
C
= + 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
= 39
民
–
–
–
–
典型值
–
–
–
3
最大单位
0.75
1.85
5
–
mA
V
mA
V / μs的
–
–
3
mA
注1,所有的值适用于任一方向。
NTE5650通NTE5653
TRIAC - 100V
RM
, 2.5A
描述:
该NTE5650通过NTE5653敏感栅可控硅被设计成直接驱动IC和
MOS器件。这些装置设有一个无空隙的玻璃钝化芯片和被密封
在TO- 5外形罐。
该NTE5650通过NTE5653是双向三端可控硅,并且可以从摘切换
状态到导通为施加电压的任一极性与正或负的栅极触发电流
与设计用于照明,加热,冷却控制应用程序和静态开关继电器。
绝对最大额定值:
重复峰值断态电压(T
J
= + 90 ° C,门打开,注1 ) ,V
DROM
NTE5650 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100V
NTE5651 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
NTE5652 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE5653 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
RMS通态电流(T
C
= 360 ° + 75 ° C和导通角) ,我
T( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . 3A
峰值浪涌(不重复)通态电流(一Cycleat 50Hz或60Hz ) ,我
TSM
. . . . . . . . 30A
峰值栅极触发电流( 3μsec ,最大) ,我
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
峰值栅极功率耗散(我
GT
≤
I
GTM
为3μsec 。最大值) ,磷
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
平均栅极耗散功率,P
G( AV )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2W
工作温度范围(T
C
), T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40°至+ 90℃的
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
典型热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 ° C / W
注1,所有的值适用于任一方向。
电气特性:
(在最大额定值&指定外壳温度)
参数
峰值断态电流
最大通态电压
DC保持电流
临界速率的高层关闭状态的
电压
直流栅极触发电流
MT
2
( + )门( + ) , MT
2
( - )门( - )
MT
2
( + )门( - ) , MT
2
( - )门( + )
符号
I
DROM
V
TM
I
HO
危急
dv / dt的
I
GT
测试条件
T
J
= + 90 ° C,V
DROM
=最大额定值,
门打开,注1
T
C
= + 25 ° C,I
T
= 5A (峰值) ,注1
T
C
= + 25 ° C,门打开
T
C
= + 90 ° C,V
D
= V
DROM
,门打开,
注1
T
C
= + 25 ° C,V
D
= 6V ,R
L
= 39
民
–
–
–
–
典型值
–
–
–
3
最大单位
0.75
1.85
5
–
mA
V
mA
V / μs的
–
–
3
mA
注1,所有的值适用于任一方向。