NTE56030 & NTE56031
可控硅， 40安培
孤立的标签
描述：
该NTE56030和NTE56031是40安培双向可控硅的TO218封装类型与一个孤立的标签
设计成直接驱动IC和MOS器件。
绝对最大额定值：
重复峰值断态电压（门打开，T
J
= + 110 ° C，注1 ） ，V
DRM
NTE56030 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE56031 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
RMS通态电流（T
C
= + 80 ° C， 360 °导通角） ，我
T
（ RMS ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40A
峰值不重复浪涌电流（一个周期，在50Hz或60Hz ） ，我
TSM
. . . . . . . . . . . . . . . . . 400A
峰值栅极触发电流（ T = 3μs的） ，我
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
峰值栅极功率耗散（我
GT
≤
I
GTM
), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W
平均栅极耗散功率，P
G（ AV ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800mW的
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °C至+ 110℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
典型热阻，结到外壳，R
thJC （DC）的
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.95 ° C / W
注1，所有的值适用于任一方向。
电气特性：
(T
C
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
峰值断态电流
门极触发电流
象限I，II ， III
第四象限
门极触发电压
GATE非触发电压
保持电流
峰值通态电压
V
GT
V
GD
I
H
V
TM
符号
I
DRM
I
GT
测试条件
T
J
= + 110 ° C，V
D
= V
DRM
，门打开，注
1
V
D
= 12V ，R
L
= 30
T2（ + ）G （+） ，T2 （ - ） G（ - ）四边形I和III的
T2（ + ）G （ - ） ，T2 （ - ）G （+），四边形Ⅱ和Ⅳ
V
D
= 12V ，R
L
= 30
V
D
= V
DRM
, T
J
= + 110 ° C，R
L
= 3k,
脉冲持续时间为20μs > ，注1
门打开，注1
I
T
= 40A ，注1
民
–
典型值
–
最大
0.5
单位
mA
–
–
–
0.2
–
–
–
–
–
–
–
–
100
150
2.5
–
100
1.8
mA
mA
V
V
mA
V
注1，所有的值适用于任一方向。
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