NTE56019和NTE56020

可控硅， 25安培

描述：

该NTE56019和NTE56020是25安培双向可控硅具有200V的重复峰值阻断和

400V分别。这些设备可以是门从阻塞到导通状态下对触发

任一极性施加电压时，其设计用于交流开关和相位控制应用

如速度和温度调节控制，照明控制，和静态开关继电器。

触发信号的门和MT之间的正常应用

1

.

产品特点：

D

电气隔离型TO220封装

D

玻璃钝化结

D

浪涌能力：高达400A

绝对最大额定值：

(T

A

= + 25°C ，60赫兹，使用电阻性负载，除非另有规定）

重复峰值阻断电压（注1 ） ，V

DRM

NTE56019 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V

NTE56020 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V

RMS通态电流（ 360° ，T导通角

C

= -40 °C至+ 125°C ） ，我

T（ RMS ）

. . . . . . . . . . 25A

不重复通态电流（一个周期） ，我

TSM

60赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250A

50赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 208A

熔断电流（T = 8.3ms的） ，我

2

吨。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259A

2

s

栅极峰值电流（脉冲宽度

≤

最大为10μs ） ，我

GM

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

栅极峰值功耗（脉冲宽度

≤

为10μs ，我

GT

≤

I

GTM

), P

GM

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

门耗散，P

G（ AV ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °C至+ 125°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °C至+ 125°C

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5K / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60K / W

焊接温度（焊接过程中， 1/16 “，从表壳， 10秒最大） ，T

L

. . . . . . . . . . . . . . . . . +230°C

注意事项1.对于MT的任一极性

2

参照MT的

1

终奌站。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

断态泄漏电流

符号

I

DRM

V

TM

测试条件

V

D

= V

DRM

, T

J

= + 25 ° C，注1

V

D

= V

DRM

, T

J

= + 125°C ，注1

导通电压

I

T（ RMS ）

= 25A ，注1

民

–

–

–

典型值

–

–

–

最大

0.1

3

1.8

单位

mA

mA

V

注意事项1.对于MT的任一极性

2

参照MT的

1

终奌站。

电气特性（续） ：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

门极触发电流

门极触发电压

保持电流

门控开启时间

爆击率，对高层

关键的上升率的，断态

符号

I

GT

V

GT

I

H

t

gt

dv / dt的

dv / dt的

c

测试条件

V

D

= 12V ，T

C

= -40 °至+ 125°C

V

D

= 12V ，象限I， II和III ，注2

门打开，注1，注3

I

GT

= 500毫安，为0.1μs上升时间

V

D

= V

DRM

，门打开，T

C

= + 125°C ，注1

V

D

= V

DRM

, I

T

= 25A ，的di / dt = 13.5A / MS ，

门未通电，注1

民

–

–

–

–

250

5

典型值

–

–

–

4

–

–

最大

80

2.5

100

–

–

–

单位

mA

V

mA

s

V / μs的

V / μs的

注意事项1.对于MT的任一极性

2

参照MT的

1

终奌站。

注2.对于栅极电压的任一极性与参考电极MT

1

.

注3.初始通态电流= 400毫安（ DC ） 。

.420 (10.67)

最大

.110 (2.79)

.147 (3.75)

最大直径

隔离

.500

(12.7)

最大

.250 (6.35)

最大

.500

(12.7)

民

0.070 （ 1.78 ）最大

MT

1

.100 (2.54)

门

MT

2