添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第471页 > NTE55
NTE54 ( NPN ) & NTE55 ( PNP )
硅晶体管互补
对音频放大器高频驱动器
描述:
在NTE54 (NPN)和NTE55 (PNP)是在一个TO220型外壳硅互补型晶体管
设计用作在音频放大器应用的高频驱动。
产品特点:
D
直流电流增益指定为4A :
h
FE
= 40分钟@我
C
= 3A
= 20分钟@我
C
= 4A
D
集电极发射极耐受电压: V
CEO ( SUS )
= 150V民
D
高电流增益带宽积:F
T
= 30MHz的分@我
C
= 500毫安
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
发射极 - 基极电压,V
EB )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8A
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16A
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.04W /°C的
总功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.016W / ℃,
工作结温,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.5 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 62.5 ° C / W
注意事项1.匹配互补对可应要求提供( NTE55MCP ) 。匹配的完井
甘南对有他们的增益指标(H
FE
)匹配到在彼此的10%。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
收藏家Cuto FF电流
V
CE ( SUS)
I
首席执行官
I
CBO
发射Cuto FF电流
基本特征
(注2 )
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 2A
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
直流电流增益线性度
h
FE
V
CE
从2V至20V ,
I
C
从0.1A到3A
NPN到PNP
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压ON
动态特性
电流增益带宽积
f
t
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安,
f
TEST
= 10MHz时,注3
30
兆赫
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
C
= 1A ,我
B
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
40
40
40
20
2
3
0.5
1
V
V
I
EBO
I
C
= 10毫安,我
B
= 0 ,注2
V
CE
= 150V ,我
B
= 0
V
CE
= 150V ,我
E
= 0
V
CE
= 150V ,我
C
= 0
150
0.1
10
10
V
mA
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注2:脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
注3. F
T
= |h
fe
|

f
TEST
.420 (10.67)
最大
.110 (2.79)
.147 (3.75)
最大直径
.500
(12.7)
最大
.250 (6.35)
最大
.500
(12.7)
0.070 ( 1.78 )最大
BASE
.100 (2.54)
辐射源
收集器/标签
NTE54 ( NPN ) & NTE55 ( PNP )
硅晶体管互补
对音频放大器高频驱动器
描述:
在NTE54 (NPN)和NTE55 (PNP)是在一个TO220型外壳硅互补型晶体管
设计用作在音频放大器应用的高频驱动。
产品特点:
D
直流电流增益指定为4A :
h
FE
= 40分钟@我
C
= 3A
= 20分钟@我
C
= 4A
D
集电极发射极耐受电压: V
CEO ( SUS )
= 150V民
D
高电流增益带宽积:F
T
= 30MHz的分@我
C
= 500毫安
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
发射极 - 基极电压,V
EB )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8A
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16A
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.04W /°C的
总功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.016W / ℃,
工作结温,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.5 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 62.5 ° C / W
注意事项1.匹配互补对可应要求提供( NTE55MCP ) 。匹配的完井
甘南对有他们的增益指标(H
FE
)匹配到在彼此的10%。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
收藏家Cuto FF电流
V
CE ( SUS)
I
首席执行官
I
CBO
发射Cuto FF电流
基本特征
(注2 )
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 2A
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
直流电流增益线性度
h
FE
V
CE
从2V至20V ,
I
C
从0.1A到3A
NPN到PNP
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压ON
动态特性
电流增益带宽积
f
t
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安,
f
TEST
= 10MHz时,注3
30
兆赫
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
C
= 1A ,我
B
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
40
40
40
20
2
3
0.5
1
V
V
I
EBO
I
C
= 10毫安,我
B
= 0 ,注2
V
CE
= 150V ,我
B
= 0
V
CE
= 150V ,我
E
= 0
V
CE
= 150V ,我
C
= 0
150
0.1
10
10
V
mA
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注2:脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
注3. F
T
= |h
fe
|

f
TEST
.420 (10.67)
最大
.110 (2.79)
.147 (3.75)
最大直径
.500
(12.7)
最大
.250 (6.35)
最大
.500
(12.7)
0.070 ( 1.78 )最大
BASE
.100 (2.54)
辐射源
收集器/标签
NTE54 ( NPN ) & NTE55 ( PNP )
硅晶体管互补
对音频放大器高频驱动器
描述:
在NTE54 (NPN)和NTE55 (PNP)是在一个TO220型外壳硅互补型晶体管
设计用作在音频放大器应用的高频驱动。
产品特点:
D
直流电流增益指定为4A :
h
FE
= 40分钟@我
C
= 3A
= 20分钟@我
C
= 4A
D
集电极发射极耐受电压: V
CEO ( SUS )
= 150V民
D
高电流增益带宽积:F
T
= 30MHz的分@我
C
= 500毫安
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
发射极 - 基极电压,V
EB )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8A
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16A
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.04W /°C的
总功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.016W / ℃,
工作结温,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.5 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 62.5 ° C / W
注意事项1.匹配互补对可应要求提供( NTE55MCP ) 。匹配的完井
甘南对有他们的增益指标(H
FE
)匹配到在彼此的10%。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
收藏家Cuto FF电流
V
CE ( SUS)
I
首席执行官
I
CBO
发射Cuto FF电流
基本特征
(注2 )
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 2A
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
直流电流增益线性度
h
FE
V
CE
从2V至20V ,
I
C
从0.1A到3A
NPN到PNP
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压ON
动态特性
电流增益带宽积
f
t
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安,
f
TEST
= 10MHz时,注3
30
兆赫
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
C
= 1A ,我
B
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
40
40
40
20
2
3
0.5
1
V
V
I
EBO
I
C
= 10毫安,我
B
= 0 ,注2
V
CE
= 150V ,我
B
= 0
V
CE
= 150V ,我
E
= 0
V
CE
= 150V ,我
C
= 0
150
0.1
10
10
V
mA
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注2:脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
注3. F
T
= |h
fe
|

f
TEST
.420 (10.67)
最大
.110 (2.79)
.147 (3.75)
最大直径
.500
(12.7)
最大
.250 (6.35)
最大
.500
(12.7)
0.070 ( 1.78 )最大
BASE
.100 (2.54)
辐射源
收集器/标签
查看更多NTE55PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTE55
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NTE55
NTE
22+
3242
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NTE55
NTE Electronics
24+
22000
223¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NTE55
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10131
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
NTE55
21+
26000
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
NTE55
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8368
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多NTE55供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!