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NTE5408通NTE5410
可控硅整流器( SCR)
3安培敏感栅
描述:
该NTE5408通过NTE5410敏感栅的SCR被设计成直接驱动用IC和
MOS器件。这些可控硅设有专用的,无空隙的玻璃钝化芯片,并且hermeti-
美云封在TO5型封装。这些4A器件的电压可高达600V和
200μA的栅极电流。
这些NTE可控硅整流器反向阻断三端可控硅,并且可以从关闭状态到CON组切换
duction由电流脉冲施加到栅极端子。通过NTE5410的NTE5408设计
用于控制应用在照明,加热,冷却,和静态开关继电器。
绝对最大额定值:
重复峰值反向电压(T
C
= + 100 ° C) ,V
RRM
NTE5408 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
NTE5409 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE5410 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
重复峰值断态电压(T
C
= + 100 ° C) ,V
DRXM
NTE5408 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
NTE5409 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE5410 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
RMS通态电流(T
C
= + 75 ° C, 180 °导通角) ,我
T( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
峰值浪涌(不重复)通态电流(一个周期为50或60Hz ) ,我
TSM
. . . . . . . . . . . 40A
峰值栅极触发电流( 3μs的最大值) ,我
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
峰值栅极功率耗散(我
GT
I
GTM
为3μs的最大值) ,P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
平均门功耗,P
G( AV )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的
工作温度范围,T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 100°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
典型热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
峰值断态电流
最大通态电压
DC保持电流
直流栅极触发电流
直流栅极触发电压
门控开启时间
I
2
吨熔断参考
应用的爆击率
正向电压
符号
I
RRM
I
DRXM
V
TM
I
HOLD
I
GT
V
GT
t
gt
I
2
t
测试条件
V
RRM
=最大,V
DRXM
=最大,
T
C
= + 100 ° C,R
GK
= 1k
°
I
T
= 10A (峰值)
R
GK
= 1000
V
D
= 6VDC ,R
L
= 100
V
D
= 6VDC ,R
L
= 100
I
G
x 3
GT
对于SCR保护
典型值
1.2
5
最大
0.75
0.75
2.2
5
200
0.8
2.6
单位
mA
mA
V
mA
A
V
s
A
2
美国证券交易委员会
V / μs的
dv / dt的
GK
= 1kΩ的,T
C
= +100°C
(关键)
0.352 ( 8.95 )最大直径
0.325 ( 8.13 )最大直径
.250
(6.35)
最大
.500
(12.7)
.019 (0.5)
阴极
阳极
45°
.031 (.793)
NTE5351
可控硅整流器( SCR)
对于高速开关
产品特点:
D
快速关断时间
D
高di / dt和dv / dt能力
D
短接发射极门极 - 阴极建设
D
中心大门建设
非重复性峰值反向电压(门打开,注1 ) ,V
RSOM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
非重复性峰值断态电压(门打开,注1 ) ,V
DSOM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
重复峰值反向电压(门打开,注1 ) ,V
rROM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
重复峰值断态电压(门打开,注1 ) ,V
DROM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS通态电流(T
C
= + 60°C ,180°导通角) ,我
T( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0A
平均通态电流(T
C
= + 60°C ,180°导通角) ,我
T( AV )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A
峰值浪涌(不重复)通态电流,I
TSM
(T
C
= + 60°C ,对于一个完整的周期,在施加电压时)
60HZ (正弦) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80A
50赫兹(正弦) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65A
变化率通态电流的(V
D
= 600V ,我
GT
= 50mA时t为1至8.3ms的) , di / dt的。 。 。 。 。 200A / μs的
熔断电流(T
J
= -40°至+ 100℃, t为1 8.3ms的) ,我
2
吨。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25A
峰值正向栅功率耗散(最大为10μs ,注2 ) ,P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
峰值反向栅极功率耗散(最大为10μs ,注2 ) ,P
RGM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
平均栅极功率耗散(最大为10μs ,注2 ) ,P
G( AV )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 100°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 ° C / W
热阻,结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 ° C / W
焊接温度(焊接过程中, 1/32 “,从座位平面,最多10秒) ,T
L
. . . . . . . . . +225°C
注1 ,如果有一个正的门信号,这些值不适用。门必须负偏置。
注2:栅极电流和栅极电压的任何产品,其导致栅极功率小于最大
是允许的。
电气特性:
(在“最大值”和T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
断态峰值正向电流
断态峰值反向电流
瞬时通态电压
瞬时保持电流
崛起的断态临界速率
当前
直流门极触发电流
直流门极触发电压
门控开启时间
换向电路导通关
时间
符号
I
DOM
I
只读存储器
v
T
i
HO
dv / dt的
I
GT
V
GT
t
gt
t
q
测试条件
V
D
= 600V ,T
C
= + 100 ° C,门打开
V
D
= 600V ,T
C
= + 100 ° C,门打开
i
T
= 30A峰值
门打开
V
D
= 600V ,电压指数上升,
T
C
= + 80 ° C,门打开
V
D
= 12V ,R
L
= 30
V
D
= 12V ,R
L
= 30
V
DX
= 600V ,我
GT
≤ 300毫安,T
r
= 0.1s,
I
T
= 2A峰值
V
CX
= 600V ,我
T
= 2A ,脉冲宽度= 50μs的,
的dv / dt = 100V / μs的, -di / DT = -10A / μs的,
I
GT
= 100mA时V
GT
= 0V (关断时) ,
T
C
= +80°C
100
典型值
0.5
0.3
2.2
20
250
15
1.8
0.7
4
最大
3.0
1.5
3.0
50
40
3.5
6
单位
mA
mA
V
mA
V / μs的
mA
V
s
s
.485 (12.3)
迪亚
.295 (7.5)
.062 (1.57)
.031 ( 0.78 )直径
.360
(9.14)
.960 (24.3)
.580 (14.7)
0.147 ( 3.75 )直径
( 2处)
.200
(5.08)
0.145 ( 3.7 ) R最大
阳极/箱
阴极
NTE5408通NTE5410
可控硅整流器( SCR)
3安培敏感栅
描述:
该NTE5408通过NTE5410敏感栅的SCR被设计成直接驱动用IC和
MOS器件。这些可控硅设有专用的,无空隙的玻璃钝化芯片,并且hermeti-
美云封在TO5型封装。这些4A器件的电压可高达600V和
200μA的栅极电流。
这些NTE可控硅整流器反向阻断三端可控硅,并且可以从关闭状态到CON组切换
duction由电流脉冲施加到栅极端子。通过NTE5410的NTE5408设计
用于控制应用在照明,加热,冷却,和静态开关继电器。
绝对最大额定值:
重复峰值反向电压(T
C
= + 100 ° C) ,V
RRM
NTE5408 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
NTE5409 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE5410 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
重复峰值断态电压(T
C
= + 100 ° C) ,V
DRXM
NTE5408 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
NTE5409 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
NTE5410 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
RMS通态电流(T
C
= + 75 ° C, 180 °导通角) ,我
T( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
峰值浪涌(不重复)通态电流(一个周期为50或60Hz ) ,我
TSM
. . . . . . . . . . . 40A
峰值栅极触发电流( 3μs的最大值) ,我
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
峰值栅极功率耗散(我
GT
I
GTM
为3μs的最大值) ,P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
平均门功耗,P
G( AV )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的
工作温度范围,T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 100°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C
典型热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
峰值断态电流
最大通态电压
DC保持电流
直流栅极触发电流
直流栅极触发电压
门控开启时间
I
2
吨熔断参考
应用的爆击率
正向电压
符号
I
RRM
I
DRXM
V
TM
I
HOLD
I
GT
V
GT
t
gt
I
2
t
测试条件
V
RRM
=最大,V
DRXM
=最大,
T
C
= + 100 ° C,R
GK
= 1k
°
I
T
= 10A (峰值)
R
GK
= 1000
V
D
= 6VDC ,R
L
= 100
V
D
= 6VDC ,R
L
= 100
I
G
x 3
GT
对于SCR保护
典型值
1.2
5
最大
0.75
0.75
2.2
5
200
0.8
2.6
单位
mA
mA
V
mA
A
V
s
A
2
美国证券交易委员会
V / μs的
dv / dt的
GK
= 1kΩ的,T
C
= +100°C
(关键)
0.352 ( 8.95 )最大直径
0.325 ( 8.13 )最大直径
.250
(6.35)
最大
.500
(12.7)
.019 (0.5)
阴极
阳极
45°
.031 (.793)
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