NTE49 （ NPN ） & NTE50 （ PNP ）

硅晶体管互补

通用，高电压放大器，驱动器

描述：

在NTE49 （NPN）和NTE50 （PNP）是在一个TO202型外壳硅互补型晶体管

专为一般用途，高电压放大器和驱动器应用。

产品特点：

D

高集电极击穿电压： V

（ BR ） CEO

= 100V民@我

C

= 1毫安

D

高功率耗散：P

D

= 10W @ T

C

= +25°C

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

集电极 - 基极电压，V

CB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

发射极 - 基极电压，V

EB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

连续集电极电流，I

C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

总功率耗散（T

A

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8MW /°C的

总功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80mW的/°C的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.5 ° C / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W

注： 1 。

NTE49

是

已停产

设备和

不再可用。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

h

FE

I

C

= 50mA时V

CE

= 1V

I

C

= 250毫安，V

CE

= 1V

I

C

= 500毫安，V

CE

= 1V

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压ON

小信号特性

电流增益带宽积

输出电容

f

T

C

ob

I

C

= 250毫安，V

CE

= 5V,

F = 100MHz时，注1

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 100kHz的

50

–

150

6

–

12

兆赫

pF

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

C

= 250毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 250毫安，我

B

= 25毫安

I

C

= 250毫安，V

CE

= 5V

80

60

–

–

–

–

125

100

55

0.18

0.1

0.74

–

–

–

0.4

–

1.2

V

V

V

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 40V ，我

E

= 0

100

4

–

–

–

–

–

–

100

V

V

nA

符号

测试条件

民

典型最大单位

注2：脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

.380 (9.56)

.180 (4.57)

C

0.132 （ 3.35 ）直径

.500

(12.7)

1.200

(30.48)

REF

.325

(9.52)

.300

(7.62)

.070 (1.78) x 45°

倒角项

.050 (1.27)

.400

(10.16)

民

E

B

C

.100 (2.54)

.100 (2.54)

NTE49 （ NPN ） & NTE50 （ PNP ）

硅晶体管互补

通用，高电压放大器，驱动器

描述：

在NTE49 （NPN）和NTE50 （PNP）是在一个TO202型外壳硅互补型晶体管

专为一般用途，高电压放大器和驱动器应用。

产品特点：

D

高集电极击穿电压： V

（ BR ） CEO

= 100V民@我

C

= 1毫安

D

高功率耗散：P

D

= 10W @ T

C

= +25°C

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

集电极 - 基极电压，V

CB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

发射极 - 基极电压，V

EB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

连续集电极电流，I

C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

总功率耗散（T

A

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8MW /°C的

总功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80mW的/°C的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.5 ° C / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W

注： 1 。

NTE49

是

已停产

设备和

不再可用。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

h

FE

I

C

= 50mA时V

CE

= 1V

I

C

= 250毫安，V

CE

= 1V

I

C

= 500毫安，V

CE

= 1V

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压ON

小信号特性

电流增益带宽积

输出电容

f

T

C

ob

I

C

= 250毫安，V

CE

= 5V,

F = 100MHz时，注1

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 100kHz的

50

–

150

6

–

12

兆赫

pF

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

C

= 250毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 250毫安，我

B

= 25毫安

I

C

= 250毫安，V

CE

= 5V

80

60

–

–

–

–

125

100

55

0.18

0.1

0.74

–

–

–

0.4

–

1.2

V

V

V

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 40V ，我

E

= 0

100

4

–

–

–

–

–

–

100

V

V

nA

符号

测试条件

民

典型最大单位

注2：脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

.380 (9.56)

.180 (4.57)

C

0.132 （ 3.35 ）直径

.500

(12.7)

1.200

(30.48)

REF

.325

(9.52)

.300

(7.62)

.070 (1.78) x 45°

倒角项

.050 (1.27)

.400

(10.16)

民

E

B

C

.100 (2.54)

.100 (2.54)

NTE49 （ NPN ） & NTE50 （ PNP ）

硅晶体管互补

通用，高电压放大器，驱动器

描述：

在NTE49 （NPN）和NTE50 （PNP）是在一个TO202型外壳硅互补型晶体管

专为一般用途，高电压放大器和驱动器应用。

产品特点：

D

高集电极击穿电压： V

（ BR ） CEO

= 100V民@我

C

= 1毫安

D

高功率耗散：P

D

= 10W @ T

C

= +25°C

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

集电极 - 基极电压，V

CB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

发射极 - 基极电压，V

EB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

连续集电极电流，I

C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

总功率耗散（T

A

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8MW /°C的

总功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80mW的/°C的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.5 ° C / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W

注： 1 。

NTE49

是

已停产

设备和

不再可用。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

h

FE

I

C

= 50mA时V

CE

= 1V

I

C

= 250毫安，V

CE

= 1V

I

C

= 500毫安，V

CE

= 1V

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压ON

小信号特性

电流增益带宽积

输出电容

f

T

C

ob

I

C

= 250毫安，V

CE

= 5V,

F = 100MHz时，注1

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 100kHz的

50

–

150

6

–

12

兆赫

pF

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

C

= 250毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 250毫安，我

B

= 25毫安

I

C

= 250毫安，V

CE

= 5V

80

60

–

–

–

–

125

100

55

0.18

0.1

0.74

–

–

–

0.4

–

1.2

V

V

V

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 40V ，我

E

= 0

100

4

–

–

–

–

–

–

100

V

V

nA

符号

测试条件

民

典型最大单位

注2：脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

.380 (9.56)

.180 (4.57)

C

0.132 （ 3.35 ）直径

.500

(12.7)

1.200

(30.48)

REF

.325

(9.52)

.300

(7.62)

.070 (1.78) x 45°

倒角项

.050 (1.27)

.400

(10.16)

民

E

B

C

.100 (2.54)

.100 (2.54)