NTE491
MOSFET
N沟道，增强模式
高速开关
绝对最大额定值：
漏源电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1MΩ ） ，V
DGR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
栅源电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±40V
漏电流，我
D
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
器件总功耗（T
A
= + 25°C ） ，磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为350mW
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.8mW时/°C的
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
热阻，结到环境，R
日（ JA ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 312.5 ° C / W
（从情况下， 10秒焊接过程中， 1/16“ ） ，T最大的铅温度
L
. . . . . . . . . . . . +300°C
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
开关特性
零栅极电压漏电流
I
DSS
V
（ BR ） DSS
I
GSSF
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
I
D（上）
g
fs
V
DS
= 48V, V
GS
= 0
V
DS
= 48V, V
GS
= 0, T
J
= +125°C
漏源击穿电压
门体漏电流，正向
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 75毫安
漏源电压
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 75毫安
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 200毫安
0.8
–
–
–
–
75
100
–
–
–
–
–
–
–
3.0
5.0
6.0
2.5
0.45
–
–
V
V
V
mA
μmhos
V
GS
= 0, I
D
= 10A
V
GSF
= 15V, V
DS
= 0
–
–
60
–
–
–
–
–
1.0
1.0
–
–10
A
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
QQ：2881677436 复制
