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NTE456
N沟道JFET硅
通用放大器,开关
描述:
的NTE456是在一个TO72型封装的N沟道结硅场效应晶体管的设计
为通用放大器和开关应用。
绝对最大额定值:
漏源电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
汲极门Voltge ,V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
栅源电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V
漏电流,我
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
器件总功耗(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为2mW / ℃,
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 200℃
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
栅源击穿电压
门反向电流
V
( BR ) GSS
V
DS
= 0, I
G
= –10A
I
GSS
V
GS ( OFF )
V
GS
I
DSS
r
DS ( ON)
V
GS
= –15V, V
DS
= 0
V
GS
= –15V, V
DS
= 0, T
A
= +150°C
门源截止电压
栅源电压
基本特征
零栅极电压漏电流
静态漏源导通电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
DS
= 0, V
GS
= 0
2.0
400
6.0
mA
V
DS
= 15V ,我
D
= 0.1nA
V
DS
= 15V ,我
D
= 200A
–30
–1.0
–0.1
–100
–6
–5.0
V
nA
nA
V
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
电气特性(续) :
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
小信号特性
正向转移导纳
常见的来源
输出准入常见的来源
输入电容
反向传输电容
共源输出
电容
功能特点
噪声系数
NF
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, R
S
= 1MΩ , F =
100Hz
2.5
dB
|y
fs
|
|y
os
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSP
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 , F = 1kHz时,注1
V
DS
= 15V, V
GS
= 0中,f = 1kHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0中,f = 1kHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0中,f = 1kHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 , F = 30MHz的
2000
4.5
1.2
1.5
5000
20
6.0
2.0
μmhos
μmhos
pF
pF
pF
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注1.脉冲测试:脉冲宽度= 630ms ,占空比= 10 % 。
0.220 ( 5.58 )直径
0.185 ( 4.7 )直径
.190
(4.82)
.030 (.762)
.500
(12.7)
0.018 ( 0.45 )直径
来源
45°
.040 (1.02)
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