NTE386

硅NPN晶体管

音频功率放大器，开关

描述：

该NTE386是专为高压硅NPN输出功率是在TO3型封装晶体管，高

在电感电路高速功率开关在哪里跌倒的时间是至关重要的。此设备尤其适合

对于运营线路开关模式的应用程序。

应用范围：

D

开关稳压器

D

逆变器

D

电磁阀和继电器驱动器

D

电机控制

D

偏转电路

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

CEO （ SUS ）

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

集电极 - 发射极电压，V

CEV

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

发射极 - 基极电压，V

EB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

集电极电流，I

C

连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20A

山顶（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30A

基极电流，我

C

连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A

山顶（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30A

总功率耗散（T

C

= + 100°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

总功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W /°C的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0 ° C / W

（从情况下， 5秒焊接过程中， 1/8“ ） ，T最大的铅温度

L

. . . . . . . . . . . . . . +275°C

注1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比

≤

10%.

电气特性：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极耐受电压

收藏家Cuto FF电流

V

CEO （ SUS ）

I

C

= 100mA时我

B

= 0

I

CEV

I

CER

发射Cuto FF电流

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

C

cb

t

d

t

r

t

s

t

f

V

CE

= 5V ，我

C

= 5A

I

C

= 10A ，我

B

= 2A

I

C

= 20A ，我

B

= 6.7A

基射极饱和电压

动态特性

输出电容

V

CB

= 10V ，我

E

= 0, f

TEST

= 1kHz时

V

CC

= 250V ，我

C

= 10A ，我

B1

= 2A,

V

BE （OFF）的

= 5V ，T

p

= 10s,

占空比

≤

2%

125

–

500

pF

s

s

s

s

I

C

= 10A ，我

B

= 2A

10

–

–

–

–

–

–

–

60

1.8

5.0

1.8

V

V

V

I

EBO

V

CEV

= 800V, V

EB （O FF ）

= 1.5V

V

CE

= 800V ，R

BE

= 50, T

C

= +100°C

V

BE

= 6V ，我

C

= 0

500

–

–

–

–

–

–

–

–

0.25

5.0

1.0

V

mA

mA

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

（阻性负载）

迪利时间

上升时间

贮存时间

下降时间

–

–

–

–

0.02

0.3

1.6

0.3

0.1

0.7

4.0

0.7

注2：脉冲测试：脉冲宽度= 300毫秒，占空比

≤

2%.

0.135 （ 3.45 ）最大

.350 (8.89)

.875 (22.2)

最大直径

座位

飞机

.312 （ 7.93 ）最小

辐射源

.215 (5.45)

.040 (1.02)

1.187

(30.16)

.665

(16.9)

.156 （ 3.96 ）直径

（ 2孔）

.430

(10.92)

0.188 （ 4.8 ） R最大

BASE

0.525 （ 13.35 ） R最大

集电极/箱