NTE351

硅NPN晶体管

射频功率放大器，驱动器

描述：

该NTE351是硅NPN晶体管在T72H型封装主要用于12.5V使用而设计

在商业和工业设备所要求的VHF大信号功率放大

300MHz.

产品特点：

D

指定12.5V ， 175MHz的特点：

输出功率= 25W

最小增益= 6.2分贝

效率= 65 ％

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

集电极 - 发射极电压，V

CES

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

连续集电极电流，I

C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

器件总功耗（注1 ，T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 370MW /°C的

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃

注意事项1.本设备是专为RF操作。该器件总功耗额定值仅适用

当该装置被操作作为RF放大器。

电气特性：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

I

C

= 100mA时我

B

= 0

V

（ BR ） CES

I

C

= 15毫安，V

BE

= 0

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

E

= 5毫安，我

C

= 0

I

CBO

I

CES

基本特征

直流电流增益

h

FE

I

C

= 1A ，V

CE

= 5V

5

–

–

V

CB

= 15V ，我

E

= 0

V

CE

= 15V, V

BE

= 0, T

C

= +55°C

18

36

4

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

1.0

10

V

V

V

mA

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

电气特性（续） ：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

动态特性

输出电容

C

ob

G

PE

η

V

CB

= 15V ，我

E

= 0中，f =为0.1MHz

P

OUT

= 25W ， F = 175MHz的

P

OUT

= 25W ， F = 175MHz的

–

110

130

pF

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

功能测试

(V

CC

= 12.5V ，除非另有规定）

共发射极放大器

功率增益

收藏家EF网络效率

6.2

65

–

–

–

–

dB

%

1.040 （ 26.4 ）最大

.520 (13.2)

C

.230

(5.84)

E

E

B

.100 (2.54)

.385 (9.8)

迪亚

.005 (0.15)

.168 (4.27)

8–32–NC–3A

.750

(19.05)

扳手槽型