NTE323 （ PNP ） & NTE324 （ NPN ）

硅晶体管互补

通用

描述：

的NTE323 （PNP）和NTE324 （NPN）是互补硅外延平面晶体管

TO39型封装设计用作驱动高功率晶体管通用放大器

和开关电路。

绝对最大额定值：

集电极 - 基极电压（I

E

= 0), V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

发射极 - 基极电压（I

C

= 0), V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

集电极电流，I

C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

基极电流，我

B

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安

总功率耗散，P

合计

T

C

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10W

T

A

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W

工作结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17.4 ° C / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175 ° C / W

电气特性：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

收藏家Cuto FF电流

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

CEV

测试条件

V

CB

= 120V ，我

E

= 0

V

CE

= 80V ，我

B

= 0

V

CE

= 120V, V

BE

= –1.5V

V

CE

= 120V, V

BE

= -1.5V ，T

C

= +150°C

V

EB

= 4V ，我

C

= 0

I

C

= 250毫安，我

B

= 25毫安，注1

I

C

= 500毫安，我

B

= 50mA时注1

I

C

= 1A ，我

B

=的200mA， 1注

民

–

–

–

–

–

120

–

–

–

典型值

–

–

–

–

–

–

–

–

–

最大单位

1

10

1

1

1

–

0.6

1.0

2.0

A

A

A

mA

A

V

V

V

V

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极耐受电压

集电极 - 发射极饱和电压

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

CEO （ SUS ）

I

C

= 10毫安，我

B

= 0 ， 1注

注1：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2%.

电气特性（续） ：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

基射极电压

直流电流增益

符号

V

BE

h

FE

f

T

C

CBO

h

fe

测试条件

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安，注1

V

CE

= 2V ，我

C

= 1A ，注1

V

CE

= 10V ，我

C

= 100mA时F = 10MHz时

V

CB

= 20V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

CE

= 1.5V ，我

C

=的200mA， F = 1kHz时

民

–

40

5

30

–

40

典型值

–

–

–

–

–

–

最大单位

1.0

150

–

–

50

–

V

–

–

兆赫

pF

–

跃迁频率

集电极 - 基极电容

小信号电流增益

注1：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2%.

0.370 （ 9.39 ）最大直径

0.355 （ 9.03 ）最大直径

.260

(6.6)

最大

.500

(12.7)

民

.018 (0.45)

BASE

辐射源

集电极/箱

45°

.031 (.793)

NTE323 （ PNP ） & NTE324 （ NPN ）

硅晶体管互补

通用

描述：

的NTE323 （PNP）和NTE324 （NPN）是互补硅外延平面晶体管

TO39型封装设计用作驱动高功率晶体管通用放大器

和开关电路。

绝对最大额定值：

集电极 - 基极电压（I

E

= 0), V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

发射极 - 基极电压（I

C

= 0), V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

集电极电流，I

C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

基极电流，我

B

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安

总功率耗散，P

合计

T

C

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10W

T

A

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W

工作结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17.4 ° C / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175 ° C / W

电气特性：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

收藏家Cuto FF电流

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

CEV

测试条件

V

CB

= 120V ，我

E

= 0

V

CE

= 80V ，我

B

= 0

V

CE

= 120V, V

BE

= –1.5V

V

CE

= 120V, V

BE

= -1.5V ，T

C

= +150°C

V

EB

= 4V ，我

C

= 0

I

C

= 250毫安，我

B

= 25毫安，注1

I

C

= 500毫安，我

B

= 50mA时注1

I

C

= 1A ，我

B

=的200mA， 1注

民

–

–

–

–

–

120

–

–

–

典型值

–

–

–

–

–

–

–

–

–

最大单位

1

10

1

1

1

–

0.6

1.0

2.0

A

A

A

mA

A

V

V

V

V

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极耐受电压

集电极 - 发射极饱和电压

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

CEO （ SUS ）

I

C

= 10毫安，我

B

= 0 ， 1注

注1：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2%.

电气特性（续） ：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

基射极电压

直流电流增益

符号

V

BE

h

FE

f

T

C

CBO

h

fe

测试条件

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安，注1

V

CE

= 2V ，我

C

= 1A ，注1

V

CE

= 10V ，我

C

= 100mA时F = 10MHz时

V

CB

= 20V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

CE

= 1.5V ，我

C

=的200mA， F = 1kHz时

民

–

40

5

30

–

40

典型值

–

–

–

–

–

–

最大单位

1.0

150

–

–

50

–

V

–

–

兆赫

pF

–

跃迁频率

集电极 - 基极电容

小信号电流增益

注1：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2%.

0.370 （ 9.39 ）最大直径

0.355 （ 9.03 ）最大直径

.260

(6.6)

最大

.500

(12.7)

民

.018 (0.45)

BASE

辐射源

集电极/箱

45°

.031 (.793)