NTE3083

OPTOISOLATOR

NPN达林顿晶体管输出

描述：

该NTE3083包含砷化镓红外线发射器光学耦合到硅平面光电

达林顿的6引脚DIP型封装。

产品特点：

D

高灵敏度： 1毫安上的投入将水槽的TTL门

D

高隔离： 3550VDC ， 10

12

,

0.5pF

绝对最大额定值：

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C

工作温度范围，T

OPR

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 100°C

焊接温度（焊接时， 10秒） ，T

L

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C

总功率耗散（T

A

= + 25°C ） ，磷

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250mW的

减免线性至100℃ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.3mW /°C的

输入到输出隔离电压（ 1秒） ，V

ISOL

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3550VDC

输入二极管

正向电流I

F

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60毫安

反向电压， V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

峰值正向电流（ 1μs的脉冲， 300pps ） ，我

F

高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3A

输出达林顿

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

集电极电流，I

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125毫安

光电特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

电容

阻力

击穿电压

符号

C

ISO

R

ISO

V

ISO

测试条件

F = 1MHz的

V = 500VDC

T = 1秒

民

–

3550

典型值

0.5

–

最大

–

–

–

单位

pF

VDC

间发射器和探测器分离

10

11

10

12

光电特性（续） ：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

发射器（砷化镓发光二极管）

正向电压

反向电压

结电容

集电极击穿电压

基极击穿电压

发射极击穿电压

收藏家泄漏电流

饱和电压

V

F

V

R

C

J

I

F

= 20mA下

I

R

= 10A

V

R

= 0V

–

3.0

–

30

30

6

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

200

1.15

25.0

50

60

60

8

1

0.8

0.8

0.9

2

50k

6

80

200

400

400

1.50

–

–

–

–

–

100

1.0

1.0

1.2

–

–

–

–

–

–

–

pF

s

s

s

%

V

V

pF

V

V

V

nA

V

V

V

A

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

检测器（硅光电达林顿）

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1毫安

V

（ BR ） CBO

I

C

= 10A

V

（ BR ） EBO

I

E

= 10A

I

首席执行官

V

CE （ SAT ）

V

CE

= 10V

I

C

= 2毫安，我

F

= 1毫安

I

C

= 10毫安，我

F

= 5毫安

I

C

= 50mA时我

F

= 10毫安

基光电流

达林顿增益

集电极 - 发射极电容

开关时间，加上

上升时间，下降时间

TTL门开启时间

TTL门关闭时间

集电极直流电流传输

比

t

r

, t

f

t

ON

t

关闭

CTR

V

CC

= 10V ，我

C

= 10毫安，R

L

= 100

I

F

= 1毫安

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安，V

CE

= 5V

I

B

h

FE

C

CE

V

CB

= 5V ，我

F

= 10毫安

I

B

= 1μA ，V

CE

= 1V

V

CE

= 10V

6

5

4

1

阳极

阴极

北卡罗来纳州

1

2

3

6

BASE

5

集热器

4

辐射源

2

3

.260

(6.6)

最大

0.070 （ 1.78 ）最大

.350 (8.89)

最大

.200 (5.08)

最大

.350

(8.89)

最大

.300 (7.62)

0.085 （ 2.16 ）最大

.100 (2.54)