NTE3043

OPTOISOLATOR

NPN晶体管输出

描述：

该NTE3043是光学耦合型隔离器由一个砷化镓红外发光二极管的

并安装在一个标准的4引脚DIP型封装的NPN硅光电晶体管。

产品特点：

D

高输出电压： V

（ BR ） CEO

= 80V

D

控制电流传输比

D

最大额定开关时间

D

高隔离电压

D

低成本DIP封装类型

绝对最大额定值：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

输入LED

直流正向电流，I

F

连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60毫安

峰值（ 1μs的P.W. 300pps ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3A

直流反向电压，V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

功耗，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为90mW

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.2MW /°C的

输出晶体管

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

功耗，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.67mW /°C的

再加

功耗，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260MW

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5MW /°C的

工作温度范围，T

OPR

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 100°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

（从情况下， 10秒焊接过程中， 1/16“ ） ，T焊接温度

L

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

输入LED

反向漏电流

正向电压

反向击穿电压

正向电压的温度COEF网络cient

结电容

C

J

V

F

= 0中，f = 1MHz的

V

F

= 1V ， F = 1MHz的

输出晶体管

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极暗电流

直流电流增益

集电极 - 发射极电容

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

再加

直流电流传输比

I

C

/I

F

I

F

= 10毫安，V

CE

= 10V

I

F

= 16毫安，V

CE

= 0.4V

电流传输比，集电极 - 基

输入输出隔离电阻

集电极 - 发射极饱和电压

输入输出电容

浪涌隔离

R

IO

V

CE （ SAT ）

C

IO

I

F

= 10毫安，V

CB

= 10V

V

ISO

= 500V

DC

I

F

= 16毫安，我

C

= 2毫安

F = 1MHz的

相对湿度< 50％

I

1

-0 < 10μb

T = 1秒

稳态隔离

相对湿度< 50 ％

T = 1分

开关时间

非饱和导通时间

不饱和关闭时间

饱和导通时间

饱和关闭时间

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

R

L

= 1.9kΩ ，我

F

= 16毫安

R

L

= 100, I

C

=的200mA， V

CC

= 5V

–

–

–

–

4.5

3.5

3.2

50

15

15

–

–

s

s

s

s

70

–

–

10

–

–

4000

3000

3500

2500

125

12.5

0.15

–

–

0.5

–

–

–

–

210

–

–

–

0.4

–

–

–

–

–

%

%

%

V

pF

V

DC

V

AC

V

DC

V

AC

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1mA时，我

F

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 100μA ，我

F

= 0

V

（ BR ） CBO

I

C

= 10A

I

首席执行官

h

FE

V

CE

= 10V ，我

F

= 0

V

CE

= 6V ，我

C

= 100A

V

CE

= 0中，f = 1MHz的

V

CE

= 5V ， F = 1MHz的

V

EB

= 0中，f = 1MHz的

80

5

100

–

–

–

–

–

–

–

–

–

170

8

20

10

–

–

–

60

–

–

–

–

pF

pF

pF

V

V

V

nA

I

R

V

F

V

R

V

R

= 3V

I

F

= 20mA下

I

R

= 10A

–

–

3.0

–

–

–

–

–

–

–1.8

50

65

10

1.5

–

–

–

–

A

V

V

毫伏/°C的

pF

pF

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

引脚连接图

阳极

阴极

北卡罗来纳州

1

2

3

6

BASE

5

集热器

4

辐射源

6

5

4

.260

(6.6)

最大

1

2

3

0.070 （ 1.78 ）最大

.350 (8.89)

最大

.200 (5.08)

最大

.300 (7.62)

.350

(8.89)

最大

0.085 （ 2.16 ）最大

.100 (2.54)