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NTE2996
MOSFET
N沟道,增强模式
高速开关
产品特点:
D
超低导通电阻
D
动态的dv / dt额定值
D
+ 175 ° C工作温度
D
快速开关
D
全额定雪崩
绝对最大额定值:
漏电流,我
D
连续(V
GS
= 10V)
T
C
= + 25 ° C(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84A
T
C
= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59A
脉冲(注2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 330A
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.4W /°C的
栅源电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20V
单脉冲雪崩能量(我
AS
= 50A , L = 260μH ,注3 ) ,E
AS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320mJ
雪崩电流(注2 ) ,我
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
重复性雪崩能量(注2 ) ,E
AR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17MJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 ) , dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.0V / ns的
工作结温范围,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55°
到+ 175℃
存储温度范围,T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55°
到+ 175℃
最大的铅温度(焊接过程中,从案例1.6毫米, 10秒) ,T
L
. . . . . . . . . . +300°C
最大热阻:
结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.75 ° C / W
结到环境,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62 ° C / W
典型热阻,壳到散热器(平板,脂面) ,R
乡镇卫生院
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.50 ° C / W
注意根据最大允许结温1.计算的连续电流。包
限制电流为75A 。
注2:重复评级:脉冲宽度有限的最高结温。
注3.这是限于吨计算值
J
= +175°C.
注4:我
SD
50A , di / dt的
230A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
+175°C.
电气特性:
(T
J
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
门源泄漏,正向
门源漏,反
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
(体二极管)注6
(体二极管)注2
T
J
= + 25 ° C,I
S
= 50A ,V
GS
= 0V ,说明5
T
J
= + 25 ° C,I
F
= 50A ,的di / dt = 100A / μs的,
注5
铅之间,从6mm ( 0.25“ )
封装和裸片联络中心
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DD
= 30V
,
I
D
= 50A ,R
G
= 3.6,
V
GS
= 10V注5
10V,
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
60
典型值
0.064
12
78
48
53
4.5
7.5
3210
690
140
73
220
最大
单位
V
V
( BR ) DSS
/引用到+ 25 ° C,I
D
= 1毫安
T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 10V ,我
D
= 50A ,注5
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ,我
D
= 50A ,注5
V
DS
= 60V, V
GS
= 0
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ,T
C
= +150°C
V
GS
= 20V
V
GS
=
20V
V
GS
= 10V ,我
D
= 50A ,V
DS
= 48V
2.0
69
12
4.0
25
250
100
100
130
28
44
84
330
1.3
110
330
V /°C的
V
姆欧
A
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
pF
pF
pF
A
A
V
ns
C
源极 - 漏极二极管额定值和特性
固有的导通时间是neglegible
(导通用L为主
S
+ L
D
)
注2:重复评级:脉冲宽度有限的最高结温。
注5.脉冲宽度
400μS ,占空比
2%.
注意根据最大允许结温6.计算的连续电流。包
限制电流为75A 。
.420 (10.67)
最大
.110 (2.79)
0.147 ( 3.75 )最大直径
.500
(12.7)
最大
.250 (6.35)
最大
.500
(12.7)
0.070 ( 1.78 )最大
.100 (2.54)
来源
漏/制表
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