NTE2959
MOSFET
N沟道，增强模式
高速开关
应用范围：
D
SMPS
D
DC- DC转换器
D
电池充电器
D
电源打印机
D
复印机
D
HDD ， FDD ，电视机，录像机
D
个人电脑
绝对最大额定值：
(T
C
= + 25°C ，除非另有规定）
漏源极电压（V
GS
= 0V), V
DSS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V
栅源电压（V
DS
= 0V), V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±30V
漏电流，我
D
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5A
脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15A
最大功耗，P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
通道温度范围，T
ch
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
热电阻，通道间情况下，R
TH（ CH -C ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.17 ° C / W
隔离电压，V
ISO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V
电气特性：
(T
ch
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
符号
测试条件
民
900
±30
–
–
2.0
–
–
3.0
典型值
–
–
–
–
3.0
2.15
4.3
5.0
最大
–
–
±10
1.0
4.0
2.80
5.6
–
单位
V
V
A
mA
V
V
S
V
（ BR ） DSS
V
DS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
（ BR ） GSS
V
DS
= 0V时，我
G
=
±100A
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
|y
fs
|
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
QQ：2880707522 复制
