NTE2930

MOSFET

N沟道，增强模式

高速开关

产品特点：

D

雪崩坚固的技术

D

坚固的门栅氧化层技术

D

较低的输入电容

D

改进的栅极电荷

D

扩展安全工作区

D

低

DS

（上） ： 0.032Ω典型值

D

低漏电流： 10μA （最大值） @ V

DS

= 100V

绝对最大额定值：

漏极至源极电压，V

DSS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

漏电流，我

D

连续

T

C

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31A

T

C

= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21.9A

脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170A

总功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.67W /°C的

栅源电压，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±20V

单脉冲雪崩能量（注2 ） ，E

AS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 641mJ

雪崩电流（注1 ） ，我

AR

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31A

重复性雪崩能量（注1 ） ，E

AR

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10MJ

峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ） ， dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.5V / ns的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃

（从情况下， 5秒焊接过程中， 1/8“ ） ，T最大的铅温度

L

. . . . . . . . . . . . . . +300°C

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 ° C / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 ° C / W

注意： 1。重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

注2： L = 1MH ，我

AS

= 31A ，V

DD

= 25V ，R

G

= 27Ω ，起始物为

J

= +25°C.

注3.我

SD

≤

40A ， di / dt的

≤

470A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

，起始物为

J

= +25°C.

电气特性：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

栅极阈值电压

门源漏进

门源漏反向

漏极至源极漏电流

符号

BV

DSS

V

（ BR ） DSS

/ I

D

= 250A

T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

（体二极管）

（体二极管）注1

T

J

= + 25 ° C，I

S

= 31A ，V

GS

= 0V ，说明4

T

J

= + 25 ° C，I

F

= 40A ，二

F

/ DT = 100A / μs的，

注4

V

GS

= 10V ，我

D

= 40A ，V

DS

= 80V,

注4 ，注5

V

DD

= 50V

,

I

D

= 40A ，R

G

= 6.2,

注4 ，注5

V

DS

= 5V ，我

D

= 250A

V

GS

= 10V

V

GS

= –10V

V

DS

= 100V

V

DS

= 80V ，T

C

= +150°C

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

V

GS

= 10V ，我

D

= 15.5A ，注4

V

DS

= 40V ，我

D

= 15.5A ，注4

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

民

100

–

2.0

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

典型值

–

0.11

–

–

–

–

–

–

27.3

1750

420

185

17

20

80

45

75

13.2

34.8

最大

–

–

4.0

100

–100

10

100

0.04

–

2270

485

215

50

50

160

100

97

–

–

单位

V

V /°C的

V

nA

nA

A

A

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

源极 - 漏极二极管额定值和特性

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

–

–

–

–

–

–

–

–

135

0.65

31

170

1.6

–

–

A

A

V

ns

C

注意： 1。重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

注4：脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比

≤

2%.

注5：基本上是独立的工作温度。