NTE2923

MOSFET

N沟道，增强模式

高速开关

产品特点：

D

动态的dv / dt额定值

D

额定重复性雪崩

D

隔离区安装孔

D

快速开关

D

易于并联的

D

简单的驱动要求

绝对最大额定值：

连续漏电流（ V

GS

= 10V ） ，我

D

T

C

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8A

T

C

= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6A

漏电流脉冲（注1 ） ，我

DM

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A

功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

线性降额超过25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.2W /°C的

栅极 - 源极电压，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±20

单脉冲雪崩能量（注2 ） ，E

AS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 480mJ

雪崩电流（注1 ） ，我

AR

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.8A

重复性雪崩能量（注1 ） ，E

AR

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15mJ

峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ） ， dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5V / ns的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

焊接温度（焊接过程中， 1.6毫米从案例10秒） ，T

L

. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

安装扭矩（ 6-32或M3螺丝） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10磅？的（ 1.1N ？m ）

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.83 ° C / W

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 ° C / W

典型热阻，壳到散热器（平板，脂面） ，R

乡镇卫生院

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.24 ° C / W

记

记

记

记

1.

2.

3.

4.

重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

V

DD

= 50V ，起始物为

J

= + 25 ° C，L = 11mH ，R

G

= 25, I

AS

= 8.8A

I

SD

≤

8.8A ， di / dt的

≤

100A / μs的，V

DD

≤

500V ，T

J

≤

+150°C

Pules宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

电气特性：

(T

J

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

民

500

–

–

2.0

5.3

–

–

–

–

–

–

–

V

DD

= 250V ，我

D

= 8A ，R

G

= 9.1,

R

D

= 31Ω ，注4

–

–

–

–

铅之间， 0.250英寸（6.0）从毫米

封装和裸片联络中心

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

–

–

–

–

–

典型值

–

0.78

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

14

23

49

20

5.0

13

1300

310

120

最大

–

–

0.85

4.0

–

25

250

100

–100

63

11

30

–

–

–

–

–

–

–

–

–

单位

V

V /°C的

V

姆欧

A

A

nA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

nH

nH

pF

pF

pF

V

（ BR ） DSS

引用到+ 25 ° C，I

D

= 1毫安

T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 10V ，我

D

= 5.3A ，注4

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 50V ，我

D

= 5.3A ，注释4

V

DS

= 500V, V

GS

= 0V

V

DS

= 400V, V

GS

= 0V ，T

J

= +125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= –20V

I

D

= 8A ，V

DS

= 400V, V

GS

= 10V,

注4

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输Capaticance

源极 - 漏极额定值和特性：

参数

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注1

T

J

= + 25 ° C，I

S

= 8.8A ，V

GS

= 0V,

注4

T

J

= + 25 ° C，I

F

= 8A,

的di / dt = 100A / μs的，注4

测试条件

民

–

–

–

–

–

典型值

–

–

–

460

3.5

最大

8.8

35

2.0

970

7.6

单位

A

A

V

ns

C

固有的导通时间是neglegible （开启用L为主

S

+L

D

)

注意事项1.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

注4：脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

.626 (15.9)

最大

.217

(5.5)

.197 (5.0)

SEE

记

.787

(20.0)

.143 (3.65)

最大直径

.157

(4.0)

.559

(14.2)

民

.215 (5.45)

.047 (1.2)

.094

(2.4)

G

D

S

TO247

注意：

漏极连接到安装表面的金属部分。