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NTE274 ( NPN ) & NTE275 ( PNP )
硅晶体管互补
达林顿功放,开关
描述:
该NTE274 ( NPN )和NTE275 ( PNP )是硅互补达林顿管的TO66
这类案件专为通用放大器,低频率切换和锤子驱动程序
应用程序。
产品特点:
D
高直流电流增益:H
FE
= 3000典型值@我
C
= 2A
D
低集电极 - 发射极饱和电压: V
CE ( SAT )
= 2V最大@ I
C
= 2A
D
集电极发射极耐受电压: V
CEO ( SUS )
= 80V敏
D
单片式结构,具有内置基射极分流电阻
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
集电极 - 基极电压,V
CB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
发射极 - 基极电压,V
EB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4A
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8A
基极电流,我
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.286W / ℃,
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
热阻,结到外壳,R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
收藏家Cuto FF电流
V
CEO ( SUS )
I
C
= 50mA时我
B
= 0
I
首席执行官
I
CER
发射Cuto FF电流
I
EBO
V
CE
= 40V ,我
B
= 0
V
CE
= 80V, V
EB (O FF )
= 1.5V
V
CB
= 80V, V
EB (O FF )
= 1.5V ,T
A
= +150°C
V
BE
= 5V ,我
C
= 0
80
0.5
0.5
5.0
2.0
V
mA
mA
mA
mA
符号
测试条件
典型值
最大单位
电气特性(续) :
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
基本特征
直流电流增益
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
|h
fe
|
V
CE
= 3V ,我
C
= 2A
V
CE
= 3V ,我
C
= 4A
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ,我
B
= 8毫安
I
C
= 4A ,我
B
= 40毫安
基射极饱和电压
基射极电压ON
动态特性
共发射极的幅度
小信号短路
正向电流传输比
输出电容
NTE274
NTE275
小信号电流增益
NTE274
h
fe
I
C
= 1.5A ,V
CE
= 3V , F = 1kHz时
I
C
= 1.5A ,V
CE
= 3V , F = 1MHz的
4.0
I
C
= 4A ,我
B
= 40毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 2A
750
100
18000
2.0
3.0
4.0
2.8
V
V
V
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
C
ob
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f =为0.1MHz
300
120
200
pF
pF
C
B
.062 (1.57)
.485 (12.3)
迪亚
.295 (7.5)
E
.031 ( 0.78 )直径
.960 (24.3)
.360 (9.14)
BASE
NTE275
0.147 ( 3.75 )直径
( 2处)
.580 (14.7)
C
B
0.145 ( 3.7 ) R最大
.200
(5.08)
集电极/箱
辐射源
E
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