NTE2633 （ NPN ） & NTE2634 （ PNP ）

硅晶体管互补

高频视频驱动程序

描述：

该NTE2633 （ NPN ）和NTE2634 （ PNP ）是硅外延互补晶体管的TO126

型封装设计用于驱动高分辨率的彩色图形的缓冲级使用MONI-

器。

产品特点：

D

高的击穿电压

D

低输出电容

绝对最大额定值：

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115V

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95V

集电极 - 发射极电压（R

BE

= 100), V

CER

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

直流集电极电流，我

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安

总功率耗散（T

S

≤

+ 115 ° C，注1 ） ，P

合计

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

工作结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 175℃

热阻，结到焊接点（T

S

≤

+ 115 ° C，注1 ） ，R

thjs

。 。 。 。 。 。 。 。 。 20K / W

注1中。T

S

是在集电引线的焊接点的温度。

电气特性：

(T

J

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

I

C

= 0.1毫安

V

（ BR ） CEO

I

C

= 10毫安

V

（ BR ） CER

I

C

= 10毫安，R

BE

= 100

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

E

= 0.1毫安

I

CES

I

CBO

直流电流增益

跃迁频率

集电极 - 基极电容

h

FE

f

T

C

cb

I

B

= 0, V

CE

= 50V

I

E

= 0, V

CB

= 50V

I

C

= 50mA时V

CE

= 10V ，T

A

= +25°C

I

C

= 50mA时V

CE

= 10V ， F = 100MHz时，

T

A

= +25°C

I

C

= 0, V

CB

= 10V ， F = 1MHz的，T

A

= +25°C

测试条件

民

115

95

110

3

–

–

20

0.8

–

典型值

–

–

–

–

–

–

35

1.2

2.0

最大单位

–

–

–

–

100

20

–

–

–

GHz的

pF

V

V

V

V

A

A