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NTE2538
硅NPN晶体管
高电压,高电流开关
产品特点:
D
高击穿电压和可靠性
D
开关速度快
D
ASO广
绝对最大额定值:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16A
山顶(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32A
基极电流,我
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A
集电极耗散,P
D
T
A
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3W
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60W
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
注1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
10%.
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
测试条件
V
CB
= 400V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 3.2A
V
CE
= 5V ,我
C
= 16A
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
I
C
= 10A ,我
B
= 2A
I
C
= 10A ,我
B
= 2A
15
10
10
典型值
最大
10
10
50
0.8
1.5
V
V
单位
A
A
电气特性(续) :
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
增益带宽积
输出电容
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极耐受电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
f
T
C
ob
测试条件
V
CE
= 10V ,我
C
= 2A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
500
400
7
400
典型值
20
230
最大
0.5
2.5
0.3
单位
兆赫
pF
V
V
V
V
s
s
s
V
( BR ) CBO
I
C
= 1mA时,我
E
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
V
CEX ( SUS)的
I
C
= 8A ,我
B1
= 0.8A ,我
B2
= –3.2A,
L = 200μH钳位
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= 12A ,我
B1
= 2.4A,
I
B2
= -4.8A ,R
L
= 10,
V
CC
= 200V
集电极 - 发射极击穿电压V
( BR ) CEO
I
C
= 10毫安,R
BE
=
.221 (5.6)
.123 (3.1)
0.134 ( 3.4 )直径
.630 (16.0)
.315
(8.0)
.866
(22.0)
B
.158 (4.0)
C
E
.804
(20.4)
.215 (5.45)
.040 (1.0)
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地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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