NTE2412

硅NPN晶体管

通用，高电压放大器，

（中文全集，以NTE2413 ）

描述：

该NTE2412是硅NPN晶体管在SOT- 23表面贴装封装设计使用

主要是电话和专业的通讯设备。

绝对最大额定值：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

集电极电流，I

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

集电极耗散功率，P

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的

工作结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

跃迁频率

电容

符号

测试条件

民

300

300

5

–

–

–

56

50

–

典型值

–

–

–

–

–

–

–

100

3

最大

–

–

–

0.5

0.5

2.0

120

–

–

兆赫

pF

单位

V

V

V

A

A

V

V

（ BR ） CBO

I

C

= 50A

V

（ BR ） EBO

I

E

= 50A

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

f

T

C

ob

V

CB

= 200V

V

EB

= 4V

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

V

CE

= 10V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 30V ，我

E

= 10毫安，

F = 100MHz的

V

CB

= 30V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

集电极 - 发射极击穿电压V

（ BR ） CEO

I

C

= 100A