NTE2411

硅PNP晶体管

高电压放大器/驱动器

（中文全集，以NTE2410 ）

描述：

该NTE2411处于SOT-23型表面安装情况下的硅PNP晶体管设计用于在使用中

高电压应用。

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

连续集电极电流，I

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安

总功率耗散（T

A

= + 25 ° C， FR - 5局，注1 ） ，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为225mW

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8MW /°C的

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 556 ° C /毫瓦

总功率耗散（T

A

= + 25 ° C，氧化铝基板，注2 ） ，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4mW /°C的

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 417 ° C /毫瓦

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

注1： FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

注2：氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

V

（ BR ） CBO

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 100V ，我

E

= 0

V

CB

= 100V ，我

E

= 0, T

A

= +100°C

150

160

5

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

50

50

V

V

V

nA

A

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

电气特性（续） ：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

基本特征

直流电流增益

h

FE

I

C

= 1mA时， V

CE

= 5V

I

C

= 10毫安，V

CE

= 5V

I

C

= 50mA时V

CE

= 5V

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

小信号特性

电流增益带宽积

输出电容

小信号电流增益

噪声系数

f

T

C

敖包

h

fe

NF

I

C

= 10毫安，V

CE

= 10V ， F = 100MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

I

C

= 200μA ，V

CE

= 5V ，R

S

= 10,

F = 10Hz到15.7KHz

100

–

40

–

–

–

–

–

300

6

200

8

dB

兆赫

pF

50

60

50

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

240

–

1.0

1.0

1.0

1.0

V

V

V

V

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

.016 (0.48)

C

B

E

.098

(2.5)

最大

.037 (0.95)

.074 (1.9)

0.118 （3.0 ）最大

.051

(1.3)

.043 (1.1)

.007 (0.2)

NTE2411

硅PNP晶体管

高电压放大器/驱动器

（中文全集，以NTE2410 ）

描述：

该NTE2411处于SOT-23型表面安装情况下的硅PNP晶体管设计用于在使用中

高电压应用。

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

连续集电极电流，I

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安

总功率耗散（T

A

= + 25 ° C， FR - 5局，注1 ） ，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为225mW

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8MW /°C的

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 556 ° C /毫瓦

总功率耗散（T

A

= + 25 ° C，氧化铝基板，注2 ） ，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4mW /°C的

热阻，结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 417 ° C /毫瓦

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

注1： FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸

注2：氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

V

（ BR ） CBO

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 100V ，我

E

= 0

V

CB

= 100V ，我

E

= 0, T

A

= +100°C

150

160

5

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

50

50

V

V

V

nA

A

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

电气特性（续） ：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

基本特征

直流电流增益

h

FE

I

C

= 1mA时， V

CE

= 5V

I

C

= 10毫安，V

CE

= 5V

I

C

= 50mA时V

CE

= 5V

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

小信号特性

电流增益带宽积

输出电容

小信号电流增益

噪声系数

f

T

C

敖包

h

fe

NF

I

C

= 10毫安，V

CE

= 10V ， F = 100MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

I

C

= 200μA ，V

CE

= 5V ，R

S

= 10,

F = 10Hz到15.7KHz

100

–

40

–

–

–

–

–

300

6

200

8

dB

兆赫

pF

50

60

50

–

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–

–

–

–

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–

–

–

–

240

–

1.0

1.0

1.0

1.0

V

V

V

V

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

.016 (0.48)

C

B

E

.098

(2.5)

最大

.037 (0.95)

.074 (1.9)

0.118 （3.0 ）最大

.051

(1.3)

.043 (1.1)

.007 (0.2)