NTE2409

硅PNP晶体管

通用放大器，表面贴装

（中文全集，以NTE2408 ）

描述：

该NTE2409是采用SOT- 23型表面硅PNP通用晶体管贴装封装

设计用于在音频放大器中厚和薄膜混合电路的驱动级的使用。

绝对最大额定值：

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

集电极 - 发射极电压，V

CEX

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

集电极电流，I

C

连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

峰值发射极电流，I

EM

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

峰值基极电流，我

BM

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

总功率耗散（T

A

= + 60 ° C，注1 ） ，P

合计

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的

结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

存储温度范围，T

英镑

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65

°

至+ 150°C

热阻，结到制表，R

thJT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60K / W

热电阻，片 - 焊接点，R

thTS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 280K / W

热电阻，焊点到环境（注1 ） ，R

THSA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90K / W

注1安装在陶瓷基板上0.314 （8毫米）× 0.393 （10毫米）× 0.027 （ 0.7毫米） 。

电气特性：

(T

J

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

收藏家Cuto FF电流

基射极电压

集电极 - 发射极饱和电压

符号

I

CBO

V

BE

V

CE （ SAT ）

测试条件

V

CB

= 30V ，我

E

= 0

V

CB

= 30V ，我

E

= 0, T

J

= +150°C

V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安，注2

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安，注2

I

C

= 10毫安，我

B

= 0.5毫安，注3

I

C

= 100mA时我

B

= 5毫安，注3

民

–

–

600

–

–

–

典型值

1

–

650

–

75

250

最大

15

4

750

820

300

650

单位

nA

A

mV

mV

mV

mV

注2： V

BE

降低了约2mV的/ K随温度的升高。

注3. V

BE （ SAT ）

减小约1.7mV随着温度的升高。

电气特性（续） ：

(T

J

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

基射极饱和电压

直流电流增益

跃迁频率

集电极电容

小信号电流增益

噪声系数

符号

V

BE （ SAT ）

h

FE

f

T

C

c

h

fe

NF

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0.5毫安，注3

I

C

= 100mA时我

B

= 5毫安，注3

V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安， F = 35MHz时

V

CB

= 10V ，我

E

= I

e

= 0中，f = 1MHz的

V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 200μA ， F = 1kHz时，

B = 200Hz时，R

S

= 2k

民

–

–

220

–

–

75

–

典型值

700

850

–

150

4.5

–

2

最大

–

–

475

–

–

900

10

dB

兆赫

pF

单位

mV

mV

注3. V

BE （ SAT ）

减小约1.7mV随着温度的升高。

.016 (0.48)

C

B

E

.098

(2.5)

最大

.037 (0.95)

.074 (1.9)

0.118 （3.0 ）最大

.051

(1.3)

.043 (1.1)

.007 (0.2)