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NTE2404 ( NPN ) & NTE2405 ( PNP )
硅晶体管互补
达林顿,通用
描述:
该NTE2404 ( NPN )和NTE2405 ( PNP )是硅互补达林顿晶体管的
SOT-23型表面安装的情况下,设计用于一般用途的应用程序。
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安
基极电流,我
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
总功率耗散(T
A
= + 25 ° C,注1 ) ,P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为350mW
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到环境(注1 ) ,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350K / W
注意事项1.安装在0.590 ( 15毫米)× 0.590 ( 15毫米)× 0.027 ( 0.7毫米)陶瓷基板。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电流
发射极 - 基极电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
测试条件
V
CBO
= 30V
V
EB
= 10V
30
40
10
4000
10000
20000
典型值
220
3.5
最大
100
100
1
1.5
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 10毫安
V
( BR ) CBO
I
C
= 10A
V
( BR ) EBO
I
E
= 100nA的
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= 100mA时我
B
= 0.1毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 0.1毫安
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V
跃迁频率
集电极电容
f
T
C
c
I
C
= 30mA时V
CE
= 5V , F = 100MHz的
I
E
= 0, V
CB
= 30V
原理图
C
B
B
C
E
E
NPN
PNP
.016 (0.48)
C
B
E
.098
(2.5)
最大
.037 (0.95)
.074 (1.9)
0.118 (3.0 )最大
.051
(1.3)
.043 (1.1)
.007 (0.2)
NTE2404 ( NPN ) & NTE2405 ( PNP )
硅晶体管互补
达林顿,通用
描述:
该NTE2404 ( NPN )和NTE2405 ( PNP )是硅互补达林顿晶体管的
SOT-23型表面安装的情况下,设计用于一般用途的应用程序。
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安
基极电流,我
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
总功率耗散(T
A
= + 25 ° C,注1 ) ,P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为350mW
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到环境(注1 ) ,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350K / W
注意事项1.安装在0.590 ( 15毫米)× 0.590 ( 15毫米)× 0.027 ( 0.7毫米)陶瓷基板。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电流
发射极 - 基极电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
测试条件
V
CBO
= 30V
V
EB
= 10V
30
40
10
4000
10000
20000
典型值
220
3.5
最大
100
100
1
1.5
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 10毫安
V
( BR ) CBO
I
C
= 10A
V
( BR ) EBO
I
E
= 100nA的
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= 100mA时我
B
= 0.1毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 0.1毫安
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V
跃迁频率
集电极电容
f
T
C
c
I
C
= 30mA时V
CE
= 5V , F = 100MHz的
I
E
= 0, V
CB
= 30V
原理图
C
B
B
C
E
E
NPN
PNP
.016 (0.48)
C
B
E
.098
(2.5)
最大
.037 (0.95)
.074 (1.9)
0.118 (3.0 )最大
.051
(1.3)
.043 (1.1)
.007 (0.2)
NTE2404 ( NPN ) & NTE2405 ( PNP )
硅晶体管互补
达林顿,通用
描述:
该NTE2404 ( NPN )和NTE2405 ( PNP )是硅互补达林顿晶体管的
SOT-23型表面安装的情况下,设计用于一般用途的应用程序。
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安
基极电流,我
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
总功率耗散(T
A
= + 25 ° C,注1 ) ,P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为350mW
工作结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到环境(注1 ) ,R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350K / W
注意事项1.安装在0.590 ( 15毫米)× 0.590 ( 15毫米)× 0.027 ( 0.7毫米)陶瓷基板。
电气特性:
(T
A
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电流
发射极 - 基极电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
测试条件
V
CBO
= 30V
V
EB
= 10V
30
40
10
4000
10000
20000
典型值
220
3.5
最大
100
100
1
1.5
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 10毫安
V
( BR ) CBO
I
C
= 10A
V
( BR ) EBO
I
E
= 100nA的
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= 100mA时我
B
= 0.1毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 0.1毫安
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V
跃迁频率
集电极电容
f
T
C
c
I
C
= 30mA时V
CE
= 5V , F = 100MHz的
I
E
= 0, V
CB
= 30V
原理图
C
B
B
C
E
E
NPN
PNP
.016 (0.48)
C
B
E
.098
(2.5)
最大
.037 (0.95)
.074 (1.9)
0.118 (3.0 )最大
.051
(1.3)
.043 (1.1)
.007 (0.2)
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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