NTE2371
MOSFET
P沟道，增强模式
高速开关
产品特点：
D
动态的dv / dt额定值
D
额定重复性雪崩
D
P- CHANNEL
D
快速开关
D
易于并联的
D
简单的驱动要求
绝对最大额定值：
连续漏电流（ V
GS
= 10V ） ，我
D
T
C
= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19A
T
C
= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13A
漏电流脉冲（注1 ） ，我
DM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72A
功率耗散（T
C
= + 25°C ） ，磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
线性降额超过25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W /°C的
栅极 - 源极电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20
单脉冲雪崩能量（注2 ） ，E
AS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640mJ
雪崩电流（注1 ） ，我
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19A
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ） ， dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5V / ns的
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °C至+ 175℃
焊接温度（焊接过程中， 1.6毫米从案例10秒） ，T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
安装扭矩（ 6-32或M3螺丝） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10磅？的（ 1.1N ？m ）
热阻，结到外壳，R
thJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0 ° C / W
热阻，结到环境，R
thJA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62 ° C / W
典型热阻，壳到散热器（平板，脂面） ，R
乡镇卫生院
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 ° C / W
记
记
记
记
1.
2.
3.
4.
重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= + 25 ° C，L = 2.7mH ，R
G
= 25, I
AS
= 19A
I
SD
≤
19A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
+175°C
Pules宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
电气特性：
(T
J
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
符号
V
（ BR ） DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
民
100
–
–
2.0
6.2
–
–
–
–
–
–
–
V
DD
= 50V ，我
D
= 19A ，R
G
= 9.1,
R
D
= 2.4Ω ，注4
–
–
–
–
铅之间， 0.250英寸（6.0）从毫米
封装和裸片联络中心
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
–
–
–
–
–
典型值
–
0.087
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
16
73
34
57
4.5
7.5
1400
590
140
最大
–
–
0.20
4.0
–
100
500
–100
100
61
14
29
–
–
–
–
–
–
–
–
–
单位
V
V /°C的
V
姆欧
A
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
pF
pF
pF
V
（ BR ） DSS
引用到+ 25 ° C，I
D
= 1毫安
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A ，注4
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 50V ，我
D
= 11A ，注4
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= +150°C
V
GS
= –20V
V
GS
= 20V
I
D
= 19A ，V
DS
= 80V, V
GS
= 10V,
注4
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输Capaticance
源极 - 漏极额定值和特性：
参数
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注1
T
J
= + 25 ° C，I
S
= 3.5A ，V
GS
= 0V,
注3
T
J
= + 25 ° C，I
F
= 3.5A,
的di / dt = 100A / μs的，注3
测试条件
民
–
–
–
–
–
典型值
–
–
–
130
0.35
最大
19
72
5.0
260
0.70
单位
A
A
V
ns
C
固有的导通时间是neglegible （开启用L为主
S
+L
D
)
注意事项1.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
注4：脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
QQ：2880707522 复制
