NTE221
MOSFET
双门， N沟道的
VHF电视接收器的应用
描述：
该NTE221是N沟道耗尽型，双绝缘栅场效应其利用晶体管
MOS建设。该器件具有的特性，这使得在RF-上午使用，因此非常适合
plifier应用。
产品特点：
D
极低的反馈电容
D
高功率增益
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
漏极至源极电压，V
DS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到+ 20V
1号门 - 源极电压，V
G1S
连续（DC）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 1V至-8V
AC峰值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 20V至-8V
2号门 - 源极电压，V
G2S
连续（DC）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8V至V的40 ％
DS
AC峰值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8V至+ 20V
漏极至栅极电压，V
DG1
或V
DG2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V
漏电流脉冲（注1 ） ，我
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
晶体管耗散（T
A
= + 25°C ） ，磷
T
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
线性降额超过25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.67mW /°C的
工作环境温度范围内，T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 175℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 175℃
焊接温度（焊接过程中， 1/32 “，从座椅表面， 10秒最大） ，T
L
. . . . . . . . +265°C
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
为20ms ，占空比
≤
15%.
电气特性：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
1号门到源截止电压
2号门至源截止电压
1号门漏电流
2号门漏电流
符号
测试条件
民
–
–
–
–
典型值
–2
–2
–
–
最大
–
–
1
1
单位
V
V
nA
nA
V
G1S
（OFF ）V
DS
= 15V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 200毫安
V
G2S
（OFF ）V
DS
= 15V, V
G1S
= 0, I
D
= 200毫安
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S
= 20V, V
G2S
= 0, V
DS
= 0
V
G2S
= 20V, V
G1S
= 0, V
DS
= 0
电气特性（续） ：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
漏电流
正向跨导
符号
I
DSS
g
fs
测试条件
V
DS
= 13V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4V
V
DS
= 13V ，我
D
= 10毫安，V
G2S
= 4V,
F = 1kHz时
民
–
–
典型值
18
1000
最大
–
–
单位
mA
μmhos
性能特点：
(T
A
= + 25 ° C，F = 200MHz的，注2，除非另有说明）
参数
小信号，短路反转
传输电容
输出电容
输入电容
输入阻抗
输出电阻
正向跨导的大小
正向纳的相角
最大可用功率增益
最大可用功率增益
（未中）
功率增益
噪声系数
MAG
杯
u
G
PS
NF
注3
符号
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
r
国际空间站
r
OSS
|Y
fs
|
测试条件
（漏极至栅极1）在f = 1MHz的
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
0.02
2.2
5.5
1.2
2.8
11000
–46
20
20
17.5
–
最大
0.03
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
单位
pF
pF
pF
k
k
μmhos
度
dB
dB
dB
dB
注2： V
G1S
调整为我
D
= 10毫安，门2在AC接地电位，V
DS
= 13V, V
G2S
= 4V.
注3.实用的设计考虑的限制。
0.220 （ 5.58 ）直径
0.185 （ 4.7 ）直径
.190
(4.82)
.030 (.762)
.500
(12.7)
民
0.018 （ 0.45 ）直径
门2
漏
门1
45°
来源/箱
.040 (1.02)
QQ：2880707522 复制
