NTE2016/NTE2017/NTE2018/NTE2019/NTE2020
集成电路
8通道达林顿阵列/驱动器
描述：
非常适合于低层次的数字逻辑电路和高功率外围负载之间的接口，
该NTE2011通过NTE2015是高电压，大电流达林顿在18引脚DIP阵列
封装类型和特征峰值负载额定电流600mA的（ NTE2016 ， NTE2019 ）或750毫安
（ NTE2017 ， NTE2018 ， NTE2020 ）为各8名车手在每个设备的。在适当的条件
系统蒸发散，大功率负载可达4A在50V （ 200W ，在23 ％的占空比）或3.2A在95V （ 304W ，在33 ％的占空
周期）可以得到控制。典型的负载包括继电器，螺线管，步进马达，多路LED
和incadescent显示，和加热器。所有器件具有集电极开路输出和积分二极管
对于感性负载瞬态抑制。
该NTE2016是一个通用阵列可与标准的双极数字逻辑使用与用于
外部电流限制，或与大多数PMOS或CMOS直接。该器件具有固定输出
相反的投入，以促进印刷电路板布局。
该NTE2017是专为14V至25V PMOS器件的使用。每一个输入有一个齐纳二极管和
电阻串联，以限制输入电流在该应用程序中的安全值。齐纳二极管也给
这deVicee卓越的抗干扰能力。
该NTE2018为每个达林顿对一个2.7kΩ系列基极电阻，直接让操作
与TTL或CMOS工作在5V的电源电压。该设备可以处理大量的接口
需要 - 特别是那些以外的标准逻辑缓冲器的功能。
该NTE2019有一个10.5kΩ串联输入电阻器允许直接从CMOS或PMOS操作
利用6V的电源电压为15V输出。所需要的输入电流低于该NTE2018的，
而所要求的输入电压低于由NTE2017必需的。
该NTE2020被设计用于与标准TTL和肖特基TTL使用，与更高的输出电流
租金是必需的，加载的逻辑输出的是不是一个问题。该设备将下沉最低
为350mA从“图腾柱”的逻辑输出驱动的时候。
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C的任何一个达林顿对，除非另有规定）
输出电压V
CE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
输入电压V
IN
NTE2017 ， NTE2018 ， NTE2019 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
NTE2020 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15V
连续集电极电流。我
C
NTE2016 ， NTE2019 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
NTE2017 ， NTE2018 ， NTE2020 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫安
连续基极电流，我
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
功耗，P
D
一个达林顿对。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
共有设备（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.25W
工作环境温度范围内，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20 °C至+ 85°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
注意： 1。减免的18.18mW的/速率° C以上+ 25°C 。
注2：在正常的操作条件下，这些设备将维持每个输出350毫安与
V
CE （ SAT ）
= 1.6V ，在+ 50℃下为20ms的脉冲宽度为40 ％的占空比。
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