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NTE2011/NTE2012/NTE2013/NTE2014/NTE2015
集成电路
7通道达林顿阵列/驱动器
描述:
该NTE2011通过NTE2015是高电压,大电流达林顿在一个16引脚DIP阵列
型封装,由七个硅NPN达林顿对一个共同的单片子
施特拉特。各单位有集电极开路输出和积分二极管感性负载瞬态suppres-
锡永。
峰值浪涌电流可达600mA ( NTE2011 , NTE2013 , NTE2014 )或750毫安( NTE2012 , NTE2015 )是
允许的,这使它们非常适用于驱动tungstun灯丝灯泡。
该NTE2011是一个通用阵列可与标准的双极数字逻辑使用与用于
外部电流限制,或与大多数PMOS或CMOS直接。该器件具有固定输出
相反的投入,以促进印刷电路板布局。
该NTE2012是专为14V至25V PMOS器件的使用。每一个输入有一个齐纳二极管和
电阻串联,以限制输入电流在该应用程序中的安全值。齐纳二极管也给
该器件优异的抗干扰能力。
该NTE2013为每个达林顿对一个2.7kΩ系列基极电阻,直接让操作
与TTL或CMOS工作在5V的电源电压。该设备可以处理大量的接口
需要 - 特别是那些以外的标准逻辑缓冲器的功能。
该NTE2014有一个10.5kΩ串联输入电阻器允许直接从CMOS或PMOS操作
利用6V的电源电压为15V输出。所需要的输入电流低于该NTE2013的,
而所要求的输入电压低于由NTE2012必需的。
该NTE2015被设计用于与标准TTL和肖特基TTL使用,与更高的输出电流
租金是必需的,加载的逻辑输出的是不是一个问题。该设备将下沉最低
为350mA从“图腾柱”的逻辑输出驱动的时候。
绝对最大额定值:
(T
A
= + 25°C的任何一个达林顿对,除非另有规定)
输出电压V
CE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
输入电压V
IN
NTE2012 , NTE2013 , NTE2014 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
NTE2015 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15V
连续集电极电流。我
C
NTE2011 , NTE2013 , NTE2014 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
NTE2012 , NTE2015 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫安
连续输入电流,I
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
功耗,P
D
一个达林顿对。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
共有设备(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2W
工作环境温度范围内,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20 °C至+ 85°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
注意: 1。
NTE2015
已停产
设备不再可用。
注2:在减免的16.6mW /速率° C以上+ 25°C 。
注3.在正常的操作条件下,这些设备将维持每个输出350毫安与
V
CE ( SAT )
= 1.6V ,在+ 70 ℃下为20ms的脉冲宽度和34%的占空比。
电气特性:
(T
A
= + 25° ,除非另有规定)
参数
输出漏电流
符号
I
CEX
设备
所有
测试条件
V
CE
= 50V ,T
A
= +25°C
V
CE
= 50V ,T
A
= +70°C
NTE2012 V
CE
= 50V ,T
A
≤ + 70 ° C,V
IN
= 6V
NTE2014 V
CE
= 50V ,T
A
≤ + 70 ° C,V
IN
= 1V
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
NTE2011我
C
= 100mA时我
B
= 250A
NTE2013
I =的200mA,我
B
= 350A
NTE2014
C
I
C
= 350mA,可我
B
= 500A
NTE2012我
C
=的200mA,我
B
= 350A
NTE2015
I
C
= 350mA,可我
B
= 500A
I
C
= 500毫安,我
B
= 600A
输入电流
I
IN(上)
NTE2012 V
IN
= 17V
NTE2013 V
IN
= 3.85V
NTE2014 V
IN
= 5V
V
IN
= 12V
NTE2015 V
IN
= 3V
I
中(关闭)
输入电压
V
IN(上)
所有
I
C
= 500μA ,T
A
= +70°C
NTE2012 V
CE
= 2V ,我
C
= 500毫安
NTE2013 V
CE
= 2V ,我
C
= 200毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 250毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 300毫安
NTE2014 V
CE
= 2V ,我
C
= 125毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 200毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 275毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 350毫安
NTE2015 V
CE
= 2V ,我
C
= 350毫安
直流正向电流
传输比
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管的漏
当前
钳位二极管的正向电压
h
FE
C
IN
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
NTE2011 V
CE
= 2V ,我
C
= 350毫安
所有
所有
所有
所有
所有
0.5 E
in
0.5 ê
OUT
0.5 E
in
0.5 ê
OUT
V
R
= 50V ,T
A
= +25°C
V
R
= 50V ,T
A
= +70°C
I
F
= 350毫安
50
1000
典型值
0.9
1.1
1.3
1.1
1.3
1.7
0.82
0.93
0.35
1.0
1.5
60
15
0.25
0.25
1.7
最大
50
100
500
500
1.1
1.3
1.6
1.3
1.6
1.9
1.25
1.35
0.50
1.45
2.4
17
2.4
2.7
3.0
5.0
6.0
7.0
8.0
2.6
25
1.0
1.0
50
100
2.0
pF
s
s
A
A
V
单位
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
引脚连接图
输入1
1
输入2
2
输入3
3
输入4
4
输入5
5
输入6
6
输入7
7
GND
8
16
输出1
15
输出2
14
输出3
13
输出4
12
输出5
11
输出6
10
输出7
9
二极管/共阴极
16
9
1
8
.870 (22.0)
最大
.200 (5.08)
最大
.260
(6.6)
最大
.100 (2.54)
.700 (17.78)
0.099 ( 2.5 )最小
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