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NTE157
硅NPN晶体管
音频功率放大器,高电压转换器
(中文全集,以NTE39 )
描述:
该NTE157处于TO126封装类型设计用于使用硅NPN晶体管线操作
设备如音频输出放大器,低电流,高电压的转换器,和交流线路的继电器。
产品特点:
D
出色的直流电流增益:H
FE
= 30 250 @我
C
= 100毫安
D
电流增益 - 带宽积:F
T
= 10MHz时(最小值) @我
C
= 50毫安
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
集电极 - 基极电压,V
CB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325V
发射极 - 基极电压,V
EB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
高峰期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1A
基极电流,我
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
总功率耗散(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.16W /°C的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
热阻,结到外壳,R
θJC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.25 ° C / W
电气特性:
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
V
CEO ( SUS )
I
C
= 100毫安(感性) , L = 50mH
V
( BR ) CEO
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
首席执行官
I
CEX
I
CBO
发射Cuto FF电流
I
EBO
V
CE
= 200V ,我
B
= 0
V
CE
= 300V, V
EB (O FF )
= 1.5V
V
CE
= 300V, V
EB (O FF )
= 1.5V ,T
C
= +100°C
V
CB
= 325V ,我
E
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
300
300
0.1
0.1
1.0
10
10
V
V
mA
mA
mA
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
电气特性(续) :
(T
C
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
基本特征
(注1 )
直流电流增益
h
FE
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V
I
C
= 250毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安,V
CE
= 10V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 250毫安,我
B
= 25毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 100毫安
基射极电压
动态特性
电流增益带宽积
输出电容
小信号电流增益
f
T
C
ob
h
fe
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V , F = 10MHz时,注2
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 100kHz的
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V , F = 1kHz时
10
20
25
兆赫
pF
V
BE
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V
25
30
15
5
250
1
2.5
10
1
V
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
注2: F
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
.330 (8.38)
最大
.175
(4.45)
最大
.450
(11.4)
最大
.118 (3.0)
迪亚
.655
(16.6)
最大
0.030 ( 0.762 )直径
E
C
B
.090 (2.28)
.130 (3.3)
最大
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