NTE108

硅NPN晶体管

高频放大器

描述：

该NTE108处于TO92型的情况下设计的低噪声，高频硅NPN晶体管

放大器，1GHz的本地oscillatore ，非中和中频放大器，以及非饱和以引起电路

和下降时间小于为2.5ns 。

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

连续集电极电流，I

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

器件总功耗（T

A

= + 25°C ） ，磷

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 625mW

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12MW /°C的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 83.3 ° C / W

热阻，结到环境（注1 ） ，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 200 ° C / W

注意： 1。R

θJA

度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） CEO

I

C

= 3毫安，我

B

= 0 ，注2

V

（ BR ） CBO

I

C

= 1μA ，我

E

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 15V ，我

E

= 0

15

30

3

–

–

–

–

–

–

–

–

10

V

V

V

nA

符号

测试条件

民

典型最大单位

注2：脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 1 ％ 。

电气特性（续） ：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

基本特征

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

小信号特性

电流增益带宽积

输出电容

输入电容

噪声系数

功能测试

共发射极放大器电源

收益

电源输出

振荡器集热效率

G

pe

P

OUT

η

I

C

= 6毫安，V

CB

= 12V,

F = 200MHz的（G

fd

+ G

re

< -20dB ）

I

C

= 8毫安，V

CB

= 15V,

F = 500MHz的

I

C

= 8毫安，V

CB

= 15V,

P

OUT

= 30mW的， F = 500MHz的

15

30

25

–

–

–

–

–

–

dB

mW

%

f

T

C

敖包

C

IBO

NF

I

C

= 4毫安，V

CE

= 10V,

F = 100MHz时，注2

V

CB

= 0V时，我

E

= 0中，f = 140kHz

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 140kHz

V

EB

= 0.5V ，我

C

= 0中，f = 140kHz

I

C

= 1mA时， V

CE

= 6V,

R

S

= 400Ω ， F = 60MHz的

600

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

3.0

1.7

2.0

6

兆赫

pF

pF

pF

dB

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

I

C

= 3mA电流， V

CE

= 1V ，注2

I

C

= 8毫安，V

CE

= 10V ，注意2

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

20

20

–

–

–

–

–

–

–

200

0.4

1.0

V

V

符号

测试条件

民

典型最大单位

注2：脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 1 ％ 。

0.135 （ 3.45 ）最小

.210

(5.33)

最大

飞机座位

.500

(12.7)

民

0.021 （ 0.445 ）最大直径

ê B C

.100 (2.54)

.050 (1.27)

.165

(4.2)

最大

0.105 （ 2.67 ）最大

0.105 （ 2.67 ）最大

0.205 （5.2 ）最大