NTD95N02R
功率MOSFET
95安培， 24伏
N沟道DPAK
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
4.5毫瓦@ 10 V
5.9毫瓦@ 4.5 V
I
D
马克斯*
95 A
高功率和电流处理能力
快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
无铅包可用
*I
D
MAX在产品汇总表是连续的
并稳定在25 ℃。
D
应用
主板CPU核心电压的应用
高频DC- DC转换器
电机驱动
桥电路
G
S
单位
V
V
° C / W
W
4
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
,
T
英镑
I
S
E
AS
95
32
52
2.4
15.8
100
1.25
12
-55
150
45
84
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
A
mJ
1
2
3
1 2 3
门漏源
4
漏
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
YWW
T95
N02RG
1 2
3
DPAK
CASE 369AA
（表面贴装）
方式2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
热阻，结到外壳
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 -
- 连续@ T
A
= 25 ℃，包装有限公司
- 连续@ T
A
= 25 ℃，电线有限公司
热阻，结点到环境
（注1 ）
- 总功率耗散@ T
A
= 25°C
- 漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热阻，结到环境
（注2 ）
- 总功率耗散@ T
A
= 25°C
- 漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作结温和存储温度
连续源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - （V
DD
= 25 V, V
G
= 10, I
PK
= 13 A,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（在从情况下的1/8为10秒）
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
价值
24
±20
1.45
86
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
T95
N02RG
2
1
3
漏
门
来源
4
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
（铜面积=在平0.412 ） 。
Y
WW
T95N02R
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 第3版
出版订单号：
NTD95N02R/D
NTD95N02R
热电阻额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
价值
1.45
52
100
单位
° C / W
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装在FR4电路板使用的最低建议焊盘尺寸（铜面积=在平0.412 ） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
符号
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
民
典型值
最大
单位
24
29
15
V
毫伏/°C的
1.5
10
±100
nA
mA
I
DSS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
栅极 - 源极漏
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
5.0
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
5.9
4.5
30
2.0
V
毫伏/°C的
8.0
5.0
mW
S
pF
正向跨导
政府飞行服务队
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
T
Q
GS
Q
GD
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
T
a
T
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 20 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 20 A
T
J
= 25°C
0.83
45
20
30
50
nC
1.2
V
ns
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 3
W
10
82
26
70
ns
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 20 V
2400
1020
390
21
4.4
9.1
nC
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
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2
NTD95N02R
典型特征
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
5000
4500
C，电容（pF ）
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10
5
0
5
10
15
C
RSS
20
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
C
国际空间站
V
DS
= 0 V
6
5
Q
T
4
3
2
1
0
Q
GS
V
DS
Q
GD
4
V
GS
8
12
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
0
4
8
12
16
20
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
V
GS
V
DS
0
24
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
1000
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
100
T， TIME （ NS ）
t
r
t
f
t
D（关闭）
10
t
D（上）
100
90
I
S
，源电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
订购信息
设备
NTD95N02R
NTD95N02RG
NTD95N02R001
NTD95N02R001G
NTD95N02RT4
NTD95N02RT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
QQ：2881677436 复制
