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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第347页 > NTD85N02RG
NTD85N02R
功率MOSFET
85安培， 24伏
N沟道DPAK
特点
http://onsemi.com
V
DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
4.8毫瓦
I
D
最大
85 A
无铅包可用
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
连续@ T
C
= 25 ℃，包装有限公司
连续@ T
A
= 25 ℃，电线有限公司
单脉冲（T
p
≤
10
女士）
热阻，结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热阻，结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30 V
dc
, V
GS
= 10 V
dc
, I
L
= 13 A
pk
,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
±20
1.6
78.1
85
32
96
52
2.4
16
100
1.25
12
-55
150
85
单位
V
dc
V
dc
° C / W
W
A
A
A
° C / W
1 2
W
A
° C / W
W
A
°C
mJ
1
T
L
260
°C
3
2
1门
2漏
3源
4漏
3
DPAK
CASE 369C
STYLE2
S
G
4
4
1
2
3
DPAK3
CASE 369D
方式2
标记图
＆放大器;引脚分配
4
YWW
85
N02
YWW
85
N02
1
2
3
4
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板，
在（铜面积1.127
2
).
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
Y
=年
WW
=工作周
85N02R =具体设备守则
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 修订版6
出版订单号：
NTD85N02R/D
NTD85N02R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= 250
mA
dc
)
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
V
dc
, V
DS
= 0 V
dc
)
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
dc
)
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
正向跨导（注3 ）
(V
DS
= 10 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 5 V
dc
, I
D
= 10 A
dc
,
V
DS
= 10 V
dc
） （注3）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 10 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
) (
（注3）
(
)
(I
S
= 10 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 125°C)
反向恢复时间
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
V
SD
0.78
0 63
0.63
37.5
16.8
20.7
0.027
1.0
mC
ns
V
dc
(V
GS
= 10 V
dc
, V
DD
= 10 V
dc
,
I
D
= 30 A
dc
, R
G
= 3
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
6.3
77
25
12
17.7
2.6
7.1
nC
ns
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2050
871
359
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
g
FS
38
6.5
4.8
5.2
姆欧
1.5
4.0
2.0
V
dc
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
24
I
DSS
I
GSS
1.5
10
±100
nA
dc
28
20.5
V
dc
毫伏/°C的
mA
dc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTD85N02R
160
10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
120
6V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
4.4 V
5V
160
V
GS
= 4 V
120
V
DS
≥
10 V
80
3.2 V
3V
80
T
J
= 25°C
40
T
J
= 125°C
0
T
J
= 55°C
0
1
2
3
4
5
6
40
2.8 V
2.6 V
2.4 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.018
V
GS
= 10 V
0.014
0.018
V
GS
= 4.5 V
0.014
0.010
T
J
= 125°C
0.006
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.002
0
40
80
120
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
0.010
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.006
T
J
= 55°C
0.002
0
40
80
120
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
100
25
0
25
50
75
100
125
150
0
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10,000
100,000
图4.导通电阻与漏电流
和温度
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
5
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD85N02R
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
4800
T
J
= 25°C
4000
C，电容（pF ）
3200
2400
1600
C
OSS
800
0
10
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
RSS
C
国际空间站
C
RSS
C
国际空间站
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTD85N02R
VGS ，栅极至源极电压（伏）
6
Q
T
V
GS
T， TIME （ NS ）
4
Q
1
Q
2
100
t
r
t
D（关闭）
10
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
0
0
4
8
12
16
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
20
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
t
f
t
D（上）
V
DS
= 10 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
1000
2
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
80
IS ，源电流（安培）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
T
J
= 25°C
0.8
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
V
GS
= 0 V
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度和壳体温度（T
C
） 25℃ 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
在AN569讨论， “瞬态热阻 -
一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
(I
DM
），也不额定电压（V
DSS
）的上限和
过渡时间（t
r
,t
f
）不超过10
女士。
此外，该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过（T
J（下最大）
T
C
)/(R
QJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（I
DM
） ，能量等级在额定指定
连续电流（I
D
） ，按照行业惯例。
能量等级必须降低温度，如图
在所附的图中（图12） 。在最大能量
低于额定连续电流我
D
可以安全地假定为
等于指定的值。
http://onsemi.com
5
NTD85N02R
功率MOSFET
85安培， 24伏
N沟道DPAK
特点
http://onsemi.com
V
DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
4.8毫瓦
I
D
最大
85 A
无铅包可用
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
连续@ T
C
= 25 ℃，包装有限公司
连续@ T
A
= 25 ℃，电线有限公司
单脉冲（T
p
≤
10
女士）
热阻，结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热阻，结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30 V
dc
, V
GS
= 10 V
dc
, I
L
= 13 A
pk
,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
±20
1.6
78.1
85
32
96
52
2.4
16
100
1.25
12
-55
150
85
单位
V
dc
V
dc
° C / W
W
A
A
A
° C / W
1 2
W
A
° C / W
W
A
°C
mJ
1
T
L
260
°C
3
2
1门
2漏
3源
4漏
3
DPAK
CASE 369C
STYLE2
S
G
4
4
1
2
3
DPAK3
CASE 369D
方式2
标记图
＆放大器;引脚分配
4
YWW
85
N02
YWW
85
N02
1
2
3
4
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板，
在（铜面积1.127
2
).
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
Y
=年
WW
=工作周
85N02R =具体设备守则
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 修订版6
出版订单号：
NTD85N02R/D
NTD85N02R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= 250
mA
dc
)
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
V
dc
, V
DS
= 0 V
dc
)
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
dc
)
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
正向跨导（注3 ）
(V
DS
= 10 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 5 V
dc
, I
D
= 10 A
dc
,
V
DS
= 10 V
dc
） （注3）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 10 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
) (
（注3）
(
)
(I
S
= 10 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 125°C)
反向恢复时间
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
V
SD
0.78
0 63
0.63
37.5
16.8
20.7
0.027
1.0
mC
ns
V
dc
(V
GS
= 10 V
dc
, V
DD
= 10 V
dc
,
I
D
= 30 A
dc
, R
G
= 3
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
6.3
77
25
12
17.7
2.6
7.1
nC
ns
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2050
871
359
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
g
FS
38
6.5
4.8
5.2
姆欧
1.5
4.0
2.0
V
dc
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
24
I
DSS
I
GSS
1.5
10
±100
nA
dc
28
20.5
V
dc
毫伏/°C的
mA
dc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTD85N02R
160
10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
120
6V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
4.4 V
5V
160
V
GS
= 4 V
120
V
DS
≥
10 V
80
3.2 V
3V
80
T
J
= 25°C
40
T
J
= 125°C
0
T
J
= 55°C
0
1
2
3
4
5
6
40
2.8 V
2.6 V
2.4 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.018
V
GS
= 10 V
0.014
0.018
V
GS
= 4.5 V
0.014
0.010
T
J
= 125°C
0.006
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.002
0
40
80
120
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
0.010
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.006
T
J
= 55°C
0.002
0
40
80
120
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
100
25
0
25
50
75
100
125
150
0
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10,000
100,000
图4.导通电阻与漏电流
和温度
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
5
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTD85N02R
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
4800
T
J
= 25°C
4000
C，电容（pF ）
3200
2400
1600
C
OSS
800
0
10
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
RSS
C
国际空间站
C
RSS
C
国际空间站
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
NTD85N02R
VGS ，栅极至源极电压（伏）
6
Q
T
V
GS
T， TIME （ NS ）
4
Q
1
Q
2
100
t
r
t
D（关闭）
10
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
0
0
4
8
12
16
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
20
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
t
f
t
D（上）
V
DS
= 10 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
1000
2
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
80
IS ，源电流（安培）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
T
J
= 25°C
0.8
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
V
GS
= 0 V
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度和壳体温度（T
C
） 25℃ 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
在AN569讨论， “瞬态热阻 -
一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
(I
DM
），也不额定电压（V
DSS
）的上限和
过渡时间（t
r
,t
f
）不超过10
女士。
此外，该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过（T
J（下最大）
T
C
)/(R
QJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（I
DM
） ，能量等级在额定指定
连续电流（I
D
） ，按照行业惯例。
能量等级必须降低温度，如图
在所附的图中（图12） 。在最大能量
低于额定连续电流我
D
可以安全地假定为
等于指定的值。
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