NTD80N02
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
28
8
V
D
Q
1
Q
2
Q
T
V
GS
24
20
16
4
12
8
2
I
D
= 1.0 A
T
J
= 25°C
0
0
10
20
30
40
50
4
0
C，电容（pF ）
4000
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
0
8 6 4 2 0 2 4
V
GS
V
DS
C
RSS
6
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 20 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
f
10
t
D（关闭）
t
D（上）
80
70
60
50
40
30
20
10
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NTD80N02
100
ID ，漏极电流（ AMPS ）
100
ms
的di / dt
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
1毫秒
I
S
t
rr
t
a
10毫秒
dc
t
p
I
S
10
100
0.25 I
S
t
b
时间
10
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
1000
Rthja （t）的有效瞬态
热阻
占空比
100
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图12.二极管的反向恢复波形
安装在最小建议足迹
10
1
P
（ PK）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1E03
1E02
1E01
T，时间（秒）
1E+00
t
1
0.1
单脉冲
0.01
1E05
1E04
R
θJA
（吨）= R（T ）R
θJA
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
R
θJA
(t)
1E+02
1E+03
1E+01
图13.热响应 - 各工作周期
订购信息
订单号
NTD80N02
NTD80N02G
NTD80N02T4
NTD80N02T4G
NTD80N02001
NTD80N021G
NTD80N02032
NTD80N02032G
包
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK - 3直导线
DPAK - 3直导线
（无铅）
DPAK - 3直导线
(3.2
±
0.5 mm)
DPAK - 3直导线
(3.2
±
0.5 mm)
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
28
8
V
D
Q
1
Q
2
Q
T
V
GS
24
20
16
4
12
8
2
I
D
= 1.0 A
T
J
= 25°C
0
0
10
20
30
40
50
4
0
C，电容（pF ）
4000
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
0
8 6 4 2 0 2 4
V
GS
V
DS
C
RSS
6
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 20 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
f
10
t
D（关闭）
t
D（上）
80
70
60
50
40
30
20
10
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
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100
ID ，漏极电流（ AMPS ）
100
ms
的di / dt
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
1毫秒
I
S
t
rr
t
a
10毫秒
dc
t
p
I
S
10
100
0.25 I
S
t
b
时间
10
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
1000
Rthja （t）的有效瞬态
热阻
占空比
100
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图12.二极管的反向恢复波形
安装在最小建议足迹
10
1
P
（ PK）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1E03
1E02
1E01
T，时间（秒）
1E+00
t
1
0.1
单脉冲
0.01
1E05
1E04
R
θJA
（吨）= R（T ）R
θJA
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
R
θJA
(t)
1E+02
1E+03
1E+01
图13.热响应 - 各工作周期
订购信息
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NTD80N021G
NTD80N02032
NTD80N02032G
包
DPAK3
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（无铅）
DPAK3
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（无铅）
DPAK - 3直导线
DPAK - 3直导线
（无铅）
DPAK - 3直导线
(3.2
±
0.5 mm)
DPAK - 3直导线
(3.2
±
0.5 mm)
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
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有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
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