NTD78N03R
功率MOSFET
特点
25 V ， 85 A单N沟道， DPAK
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
无铅包可用
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
25 V
R
DS （ ON）
典型值
5.0 @ 11.5 V
7.5 @ 4.5 V
D
I
D
最大
85 A
VCORE应用
DC-DC转换器
优化的低侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
qJA
） （注1 ）
功耗
(R
qJA
） （注1 ）
连续漏极
电流（R
qJA
） （注2 ）
功耗
(R
qJA
） （注2 ）
连续漏极
电流（R
QJC
)
功耗
(R
QJC
)
漏电流脉冲
通过封装电流限制
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
t
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
25
"20
14.7
11.4
2.3
11.3
8.8
1.4
85
66
76.9
98
32
55
to
175
77
8.0
75
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
单位
V
V
A
G
S
4
4
N沟道
4
A
1 2
3
1
1
2
2 3
CASE 369C
DPAK
（弯曲铅）
方式2
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
CASE 369AC
3 IPAK
（直引线）
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
78
N03RG
3
来源
1
门
Y
=年
WW
=工作周
78N03R =器件代码
G
= Pb-Free包装
2
漏
3
来源
出版订单号：
NTD78N03R/D
4
漏
YWW
78
N03RG
1
门
2
漏
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
L = 5.0 mH的，我
L
（ PK ） = 5.5 A，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板， 1盎司铜。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年8月，
第4版
1
NTD78N03R
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结到环境
稳态（注3 ）
结到环境
稳态（注4 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
价值
1.95
65
110
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
=
10V至11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
政府飞行服务队
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
3.
4.
5.
6.
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / D
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 20 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
0.8
38
16.5
22
31
nC
1.0
V
ns
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 20 V,
I
D
= 20 A，R
G
= 2.5
W
11
75
18
17
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 20 V,
I
D
= 20 A
1794
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 12 V
882
373
19.4
0.8
2.9
12.4
24
nC
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
25
10
1.5
10
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
1.7
5.3
5.0
4.9
7.5
7.2
23
3.0
V
毫伏/°C的
5.8
5.7
9.0
8.5
mW
S
表面安装用1平方英寸垫的尺寸， 1盎司铜FR4板。
表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTD78N03R
订购信息
订单号
NTD78N03R
NTD78N03RG
NTD78N03RT4
NTD78N03RT4G
NTD78N03R1
NTD78N03R1G
NTD78N03R35
NTD78N03R35G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK直铅
DPAK直铅
（无铅）
DPAK直铅
(3.5
＆ QUOT ;
0.15 mm)
DPAK直铅
(3.5
＆ QUOT ;
0.15 mm)
（无铅）
75单位/铁
2500磁带&卷轴
75单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
