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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第109页 > NTD70N03R-001
NTD70N03R
功率MOSFET
72 A， 25 V ， N沟道DPAK
特点
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
无铅包可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
25 V
R
DS （ ON）
典型值
5.6兆瓦
I
D
最大
72 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
- 连续@ T
C
= 25 ℃，包装有限公司
- 连续@ T
A
= 25 ℃，电线有限公司
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
热电阻 - 结到环境
(Note1)
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热电阻 - 结到环境
(Note2)
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30 V
dc
, V
GS
= 10 V
dc
, I
L
= 12 A
pk
,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
25
±20
2.4
62.5
72.0
62.8
32
140
80
1.87
12.0
110
1.36
10.0
-55
175
71.7
单位
V
dc
V
dc
° C / W
W
A
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
mJ
4
1 2
3
DPAK
CASE 369AA
方式2
G
N沟道
D
S
标记DIAGRAMS
4
漏
YWW
T70
N03G
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
YWW
T70
N03G
1
3
DPAK
CASE 369D
方式2
2
1 2 3
门漏源
=器件代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
70N03
Y
WW
G
4
出版订单号：
NTD70N03R/D
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用0.5平方的FR4板。英寸焊盘尺寸。
2.表面安装的FR4板采用最低配置推荐
焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 10牧师
NTD70N03R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= 250
mA
dc
)
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
V
dc
, V
DS
= 0 V
dc
)
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
dc
)
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
正向跨导（注3 ）
(V
DS
= 10 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 5 V
dc
, I
D
= 36 A
dc
,
V
DS
= 10 V
dc
） （注3）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
） （注3）
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 125°C)
V
SD
-
-
t
rr
(I
S
= 36 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复存储
收费
t
a
t
b
Q
RR
-
-
-
-
0.86
0.73
27.9
14.8
13.1
19
1.2
-
-
-
-
-
nC
ns
V
dc
(V
GS
= 10 V
dc
, V
DD
= 10 V
dc
,
I
D
= 36 A
dc
, R
G
= 3
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
GS
Q
DS
-
-
-
-
-
-
-
6.9
1.3
18.4
5.5
13.2
3.3
6.5
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
1333
600
218
-
-
-
pF
V
GS （ TH）
1.0
-
R
DS （ ON）
-
-
g
FS
-
27
-
8.1
5.6
13
8.0
姆欧
1.5
4.0
2.0
-
V
dc
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
25
-
I
DSS
-
-
I
GSS
-
-
-
-
1.5
10
±100
28
20.5
-
-
V
dc
毫伏/°C的
mA
dc
符号
民
典型值
最大
单位
nA
dc
反向恢复时间
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTD70N03R
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
175
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
150
125
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3V
2.8 V
2.6 V
10 V
8V
6V
5V
4.5 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
150
V
DS
≥
10 V
125
100
75
50
25
0
0
2
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
T
J
= -55°C
4
6
8
2.4 V
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.05
I
D
= 72 A
T
J
= 25°C
0.04
0.016
V
GS
= 10 V
0.012
T
J
= 175°C
0.03
0.008
T
J
= 25°C
0.02
0.004
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
T
J
= -55°C
0
10
30
50
70
90
110
130
150
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
I
D
= 36 A
V
GS
= 10 V
1,000,000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
100,000
I
DSS
，漏电（ NA）
T
J
= 175°C
10,000
1000
T
J
= 100°C
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD70N03R
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
C
RSS
2000
1500
1000
500
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
3000
2500
C，电容（pF ）
10
QT
8
V
DD
= 10 V
Q
GS
T
J
= 25°C
6
Q
GD
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
I
D
= 36 A
T
J
= 25°C
10
20
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
30
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
1000
IS ，源电流（安培）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
1.6
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
f
t
r
1
V
DS
= 10 V
I
D
= 36 A
V
GS
= 10 V
100
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
100
I D ，漏极电流（ AMPS ）
10
ms
120
10
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
1毫秒
10毫秒
伊德尔（ ％ ）
40
0
0
100
ms
80
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
0.1
dc
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
50
100
TMB （ ° C）
150
200
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.归连续漏电流
作为安装基座温度的函数
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4
NTD70N03R
R（T ），有效瞬态热阻
（归一化）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0E-03
1.0E-02
吨，时间（ ms）的
P
（ PK）
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.01
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
图13.热响应
订购信息
订单号
NTD70N03R
NTD70N03RG
NTD70N03RT4
NTD70N03RT4G
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1G
包
DPAK-3
DPAK-3
（无铅）
DPAK-3
DPAK-3
（无铅）
DPAK - 3直导线
DPAK - 3直导线
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Spe-
cifications宣传册， BRD8011 / D 。
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NSP101M8D3TRF
NC12S0A0V30PRFA
NAND256R4A2BZA6F
N48D12/330X
N74F1244D
NF-BM-6
NTMFS4823N
NSPY500S
NM27LC512TE250
NTHA8KA3
NRN11C104JTA
NJM78M12DL1A
NHD-4.3-480272EF-ATXL-T
NTE911
NSBC123JF3T5G
NM27C256QM150
NJ36C31192
NCP1015
NRS475M35
NRWS220M100V8x11.5F
供货商
型号
厂家
批号
数量
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单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    NTD70N03R-001
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